KR950025902A - 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거 방법 - Google Patents
이온주입 장벽용 포토레지스트 제거 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 불순물 이온주입시 장벽막으로 작용하는 포토레지스트 제거후 잔류하게 되는 포토레지스트를 제거하기 위한 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거 방법에 관한 것으로, 반도체 기판(1)에 게이트 절연막(2), 게이트 전극(3), 절연막 스페이서(4)를 차례로 형성한 다음, 이온주입시 웨이퍼 표면 보호용 보호막(10)을 소정 두께로 형성하고, 포토레지스트(6)를 도포한 후 소스/드레인 영역 형성을 위해 이온주입하는 단계를 포함하는 반도체 제조공정 중 상기 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거방법에 있어서, 상기 포토레지스트(6)를 제거하는 단계; 상기 보호막(10)을 식각하되, 소정 두께 잔류시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 종래 불완전한 포토레지스트 제거로 인한 소자불량을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 일실시예의 공정단면도.
Claims (4)
- 반도체 기판(1)에 게이트 절연막(2), 게이트 전극(3), 절연막 스페이서(4)를 차례로 형성한 다음, 이온주입시 웨이퍼 표면 보호용 보호막(10)을 소정 두께로 형성하고, 포토레지스트(6)를 도포한 후 소스/드레인 영역 형성을 위해 이온주입하는 단계를 포함하는 반도체 제조공정 중 상기 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거 방법에 있어서, 상기 포토레지스트(6)를 제거하는 단계; 상기 보호막(10)을 식각하되, 소정 두께 잔류시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온주입 장벽용 포토레지스트를 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보호막(10)은 500 내지 800Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보호막(10)은 산화막(5), 질화막(8)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거방법.
- 제3항에 있어서, 상기 보호막(10) 식각 단계에서 질화막(8)까지 시각되어 제거되는 것을 특징으로 하는 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003880A KR950025902A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003880A KR950025902A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025902A true KR950025902A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66689633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940003880A KR950025902A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 이온주입 장벽용 포토레지스트 제거 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025902A (ko) |
-
1994
- 1994-02-28 KR KR1019940003880A patent/KR950025902A/ko not_active Application Discontinuation
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