KR950025931A - 게이트 전극 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 게이트 전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 게이트산화막과 다결정실리콘막을 형성하고 그 상부에 게이트전극을 형성하기 위한 제1감광막패턴을 형성한 다음, 상기 제1감광막패턴을 마스크로 하여 다결정실리콘막을 전체두께의 삼분의 이를 부분식각하고 상기 제1감광막패턴을 제거한 다음, 전체구조상부에 게이트전극을 형성하기위한 제2감광막패턴을 형성하고 상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 다결정실리콘막과 게이트산화막을 식각한 다음, 상기 제2감광막패턴을 제거하고 전체구조상부에서 고농도의 N형 불순물이온을 주입함으로써, 종래기술에의한 LDD구조와 같은 게이트전극을 형성하고 종래기술에서의 불안정한 공정을 실시하지 않아도 되어 공정이 안정화됨으로써 반도체소자의 수율을 향사시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 의한 게이트 전극 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (2)
- 반도체기판 상부에 게이트산화막과 다결정실리콘막을 형성한 다음, 그상부에 게이트전극을 형성하기위한 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 하부의 다결정실리콘막을 일정두께 식각하고 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 식각된 다결정실리콘막의 상부에 게이트전극을 형성하기위한 제2감광막패턴을 형성하고 상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 다결정실리콘막과 게이트산화막을 식각함으로써 다결정실리콘막패턴과 게이트산화막패턴을 형성한 다음, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체구조상부에 고농도의 N형 불순물이온을 주입하는 공정을 포함하는 게이트 전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다결정실리콘막 식각은 전체두께의 삼분의 이를 식각하는 것을 특징으로하는 게이트 전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003765A KR950025931A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 게이트 전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940003765A KR950025931A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 게이트 전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025931A true KR950025931A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66689938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940003765A KR950025931A (ko) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | 게이트 전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025931A (ko) |
-
1994
- 1994-02-28 KR KR1019940003765A patent/KR950025931A/ko not_active Application Discontinuation
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