KR970018187A - 반도체 장치 제조방법 - Google Patents

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니시무로 타이조
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조공정에서의 공정수의 증가, 특히 반도체 장치의 제조 공정에 있어서의 포토 에칭 공정 회수의 삭감을 목적으로 한다. 반도체 기판(101) 상에 게이트 산화막(110)을 형성하고, 게이트 산화막(110) 상에 폴리 실리폰막(111)을 형성하며, 폴리 실리콘막(111) 상에 트인 개구부를 갖는 마스크층(103)을 형성한다. 다음에 마스크층(103)을 마스크로 하여, 폴리 실리폰막(111) 및 게이트 산화막(110)을 통과하고, 반도체 기판(101) 중에 제1이온 주입을 한다. 다음에 마스크층(103)을 마스크로 하여, 폴리 실리콘막(111)층에 제2이온 주입을 한다. 하나의 마스터 패턴으로 제1이온 주입과 제2이온 주입을 하기 때문에, 반도체 장치의 제조공정에 있어서의 마스크 형성의 포토 에칭 회수를 삭감할 수 있다.

Description

반도체 장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1l도는 본 발명의 실시예를 도시한 도면.

Claims (4)

  1. 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막상에 폴리 실리콘막을 형성하는 단계와, 상기 폴리 실리콘막상에 트인 개구부를 갖는 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 마스크층은 마스크로 하여, 상기 폴리 실리콘막 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판중에 제1이온 주입을 하는 단계와, 상기 마스크층을 마스크로 하여, 상기 폴리 실리콘막중에 제2이온 주입을 하는 단계를 포함하는 것은 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막상에 폴리 실리콘막을 형성하는 단계와, 상기 폴리 실리콘막을 에칭하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 산화막상에 트인 개구부를 갖는 마스크층은 형성하는 단계와, 상기 마스크층을 마스크로 하여, 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판중에 제1이온 주입을 하는 단계와, 상기 마스크층은 마스크로 하여, 상기 게이트 전극중 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판중에 제2이온 주입을 하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제1 및 제2영역을 갖는 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막상에 폴리 실리콘막을 형성하는 단계와, 상기 제2영역에 트인 개구부를 갖는 제1포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 제2영역상의 상기 폴리 실리콘막 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판에 제1이온 주입을 하는 단계와, 상기 제1포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 제2영역상의 상기 폴리 실리콘막 중에 제2이온 주입을 하는 단계와, 상기 제1포토레지스트막을 제거하는 단계와, 상기 제1영역상에 트인 개구부를 갖는 제2포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 제1영역상의 상기 폴리 실리콘막 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판중에 제3이온 주입을 하는 단계와, 상기 제2포토레지스트른 마스크로 하여, 상기 제1영역상의 상기 폴리 실리콘막 중에 제4이온 주입을 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제1 및 제2의 영역을 갖는 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막상에 폴리 실리콘막을 형성하는 단계와, 상기 폴리 실리콘막을 에칭하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판상의 제2영역상에 트인 개구부를 갖는 제2포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 제2영역상의 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판중에 제1이온 주입을 하는 단계와, 상기 제1포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 제2영역상의 상기 게이트 전극 중 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판중에 제2이온 주입을 하는 단계와, 상기 제1포토레지스트막을 제거하는 단계와, 상기 제1영역상에 트인 개구부를 갖는 제2포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 제1영역상의 상기 게이트 전극 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판에 제3이온 주입을 하는 단계와, 상기 제2포토레지스트막을 마스크로 하여, 상기 제1영역상의 상기 폴리 실리콘막 중 및 상기 게이트 산화막을 통과하여 상기 반도체 기판중에 제4이온 주입을 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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