KR960026753A - 트윈(twin) 웰 제조방법 - Google Patents
트윈(twin) 웰 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체소자의 트윈 웰 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체기판에 N-WELL 이온주입 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하고 N-WELL 이온을 반도체기판으로 주입하는 단계와, 상기 감광막패턴에 의해 자기정렬되는 액상절연막 패턴을 형성하는 단계와, 남아있는 감광막패턴을 제거하고, N-WELL 이온을 반도체기판으로 주입하는 단계와, 상기 액상절연막 패턴을 제거하고, 반도체기판에 주입된 이온을 드라이브 인공정으로 확산시켜 자기정렬된 N-WELL과 P-WELL을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (라)는 본 발명의 실시예에 의해 트윈 웰을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (2)
- 반도체소자의 트윈 웰 제조방법에 있어서, 반도체기판상부에 산화막을 형성하는 단계와, 산화막 상부에 감광막을 형성한 다음, N-WELL 이온주입마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하고 N-WELL 이온을 반도체기판으로 주입하는 단계와, 전체구조 상부에 액상절연물을 도포하고 상기 액상절연물을 전면식각하여 상기 감광막패턴이 없는 지역에 액상절연막 패턴을 형성하는 단계와, 남아있는 감광막패턴을 제거하고, N-SELL 이온을 반도체기판으로 주입하는 단계와, 상기 액상절연막 패턴을 제거하고, 반도체기판에 주입된 이온을 드라이브 인공정으로 확산시켜 자기정렬된 N-SELL과 P-WELL을 형성하는 단계를 포함하는 트윈 웰 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 액상절연막으로 SOG 막을 사용하는 것을 특징으로 하는 트윈 웰 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940035148A KR960026753A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 트윈(twin) 웰 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940035148A KR960026753A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 트윈(twin) 웰 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960026753A true KR960026753A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940035148A KR960026753A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 트윈(twin) 웰 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960026753A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100398587B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2003-11-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 트윈-웰 제조 방법 |
KR100677997B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-02-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-12-19 KR KR1019940035148A patent/KR960026753A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100398587B1 (ko) * | 1997-12-08 | 2003-11-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 트윈-웰 제조 방법 |
KR100677997B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-02-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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