KR960026753A - 트윈(twin) 웰 제조방법 - Google Patents

트윈(twin) 웰 제조방법 Download PDF

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KR960026753A
KR960026753A KR1019940035148A KR19940035148A KR960026753A KR 960026753 A KR960026753 A KR 960026753A KR 1019940035148 A KR1019940035148 A KR 1019940035148A KR 19940035148 A KR19940035148 A KR 19940035148A KR 960026753 A KR960026753 A KR 960026753A
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well
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KR1019940035148A
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황준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 고집적 반도체소자의 트윈 웰 제조방법에 관한 것으로서, 특히 반도체기판에 N-WELL 이온주입 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하고 N-WELL 이온을 반도체기판으로 주입하는 단계와, 상기 감광막패턴에 의해 자기정렬되는 액상절연막 패턴을 형성하는 단계와, 남아있는 감광막패턴을 제거하고, N-WELL 이온을 반도체기판으로 주입하는 단계와, 상기 액상절연막 패턴을 제거하고, 반도체기판에 주입된 이온을 드라이브 인공정으로 확산시켜 자기정렬된 N-WELL과 P-WELL을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

트윈(twin) 웰 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (라)는 본 발명의 실시예에 의해 트윈 웰을 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체소자의 트윈 웰 제조방법에 있어서, 반도체기판상부에 산화막을 형성하는 단계와, 산화막 상부에 감광막을 형성한 다음, N-WELL 이온주입마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성하고 N-WELL 이온을 반도체기판으로 주입하는 단계와, 전체구조 상부에 액상절연물을 도포하고 상기 액상절연물을 전면식각하여 상기 감광막패턴이 없는 지역에 액상절연막 패턴을 형성하는 단계와, 남아있는 감광막패턴을 제거하고, N-SELL 이온을 반도체기판으로 주입하는 단계와, 상기 액상절연막 패턴을 제거하고, 반도체기판에 주입된 이온을 드라이브 인공정으로 확산시켜 자기정렬된 N-SELL과 P-WELL을 형성하는 단계를 포함하는 트윈 웰 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액상절연막으로 SOG 막을 사용하는 것을 특징으로 하는 트윈 웰 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035148A 1994-12-19 1994-12-19 트윈(twin) 웰 제조방법 KR960026753A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100398587B1 (ko) * 1997-12-08 2003-11-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 트윈-웰 제조 방법
KR100677997B1 (ko) * 2005-12-28 2007-02-02 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법

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KR100398587B1 (ko) * 1997-12-08 2003-11-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 트윈-웰 제조 방법
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