KR890002990A - 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

바이폴라 트랜지스터의 제조방법 Download PDF

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KR890002990A
KR890002990A KR1019870008416A KR870008416A KR890002990A KR 890002990 A KR890002990 A KR 890002990A KR 1019870008416 A KR1019870008416 A KR 1019870008416A KR 870008416 A KR870008416 A KR 870008416A KR 890002990 A KR890002990 A KR 890002990A
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KR
South Korea
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forming
manufacturing
bipolar transistor
emitter
oxide film
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Application number
KR1019870008416A
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Inventor
이석훈
손정하
Original Assignee
강진구
삼성반도체통신 주식회사
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내용 없음

Description

바이폴라 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 (A)-(F)도는 본 발명에 따른 제조공정도.

Claims (1)

  1. 반도체장치의 제조방법에 있어서, 실리콘 반도체기판(1)상에 제 1 산화막(2)을 형성하고 제 1 포토레지스트 패턴(3)을 형성하여 소정부위(4)의 제 1 산화막을 에칭하는 제 1 공정과, 상기 제 1 포트레지스트 패턴(3)을 마스크로하여 베이스 형성을 위한 제 1 이온주입을 하는 제 2 공정과, 제 2 포토레지스트 패턴(6)을 형성하여 에미터 형성을 위한 제 2 이온주입을 하는 제 3 공정과, 상기 주입된 이온을 확산시켜 에미터(8) 및 베이스(9)영역을 형성하는 제 4 공정과, 금속전극(11)(11')(11)을 형성하는 제 5 공정과, 보호막층을 형성하는 제 6 공정을 구비하여 상기 공정들의 연속으로 이루어짐을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870008416A 1987-07-31 1987-07-31 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 KR890002990A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9849954B1 (en) 2016-06-13 2017-12-26 Korea Institute Of Ocean Science & Technology Glass sphere type pressure housing including titanium band and a multi-joint underwater robot system for deep sea exploration using the same

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US9849954B1 (en) 2016-06-13 2017-12-26 Korea Institute Of Ocean Science & Technology Glass sphere type pressure housing including titanium band and a multi-joint underwater robot system for deep sea exploration using the same

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