KR920007229A - 바이폴라 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도.
Claims (1)
- p형 기판에 n-에피층과 활성베이스 영역 형성을 위한 p-베이스 영역 및 산화막을 차례로 형성하는 단계와, 포토/에치공정 및 n+이온주입을 차례로 실시하여 n+에미터 및 콜렉터 영역을 동시에 형성하는 단계, 포토/에치공정 및 감광제를 이용한 p+이온주입을 차례로 실시하여 베이스 콘택저항 감소를 위한 p+베이스영역과 금속배선영역 형성을 위한 베이스 콘택영역을 동시에 형성하는 단계, p+베이스 영역과 n+에미터 및 콜렉터 영역의 어닐링 및 확산 공정을 동시에 행한 다음 금속배션을 행하는 단계가 순차적으로 포함됨을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019900014389A KR930008532B1 (ko) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | 바이폴라 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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| KR920007229A true KR920007229A (ko) | 1992-04-28 |
| KR930008532B1 KR930008532B1 (ko) | 1993-09-09 |
Family
ID=19303505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR930008532B1 (ko) |
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1990
- 1990-09-12 KR KR1019900014389A patent/KR930008532B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930008532B1 (ko) | 1993-09-09 |
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