KR890013792A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR890013792A
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아끼히로 단바
유다까 고바야시
데쯔로오 마쯔모또
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미다 가스쓰게
가부시기 가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 특징으로 나타내고 바이폴라 구조를 나타낸도,
제3도는 제1도의 구조를 제작하는 공정의 개략도,
제4도는 제1도의 바이폴라로 구성한 BiCMOS DRAM의 기본 구조를 나타낸 단면도.

Claims (18)

  1. 한쪽도전형의 반도체영역내에 형성된 베이스전극과, 상기 한쪽도전형의 반도체 영역내에 형성되어 상기 베이스 전극에 대하여 자기 정합적으로 형성된 2개의 다른쪽 도전형의 불순물영역을 가지고 상기 불순물 영역을 각각 이미터영역 및 콜렉터 영역으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베이스 전극은 다결정반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체장치는 npn 바이폴라 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 베이스전극의 밑에는 한쪽 도전형의 고농도 불순물 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 소정기판내의 한쪽도전형의 반도체영역내에 형성된 2개의 다른쪽 도전형의 불순물영역을 가지고 상기 2개의 다른쪽도전형의 분순물영역에는 각각 전극이 전기적으로 접속되고, 한쪽도전형의 반도체영역 주표면상에 상기 2개의 다른쪽 도전형의 불순물영역의 사이의 영역을 적어도 커버하도록 형성된 베이스 전극을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 베이스 전극의 적어도 일부분은 다결정반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 반도체장치 npn 바이폴라 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 베이스 전극의 밑에는 한쪽 도전형의 고농도불순물 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 2개의 다른쪽 도전형의 불순물 영역의 적어도 한쪽은 고농도불순물영역과 저농도불순물 영역으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 베이스 전극에 인접하여 상기 저농도불순물영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 고농도불순물영역의 깊이는 상기 저농도 불순물영역의 깊이보다 깊은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 고농도불순물 영역의 깊이는 상기 저농도 불순물영역의 깊이와 대략 동등한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 저농도 불순물영역은 상기 베이스 전극의 양측에서 각각 폭이 다른 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  14. 제5항 내지 13항에 있어서, 상기 소정 기판내에는 적어도 MOS FET가 존재하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  15. 이하의 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.(1) 소정기판상에 다결정 반도체막을 형성하는 공정. (2) 상기 다결정 반도체막을 마스크로하여 제1의 불순물을 상기 기판내에 도입하는 공정.(3) 상기 다결정 반도체막내에 제2의 불순물을 도입하는 공정.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1의 불순물과 상기 제2의 불순물은 다른 도전형의 반도체 불순물영역을 형성하는 것임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  17. 이하의 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법. (1)소정기판상에 다결정 반도체막을 형성하는 공정. (2) 상기 다결정 반도체막내에 제2의 불순물을 도입하는 공정. (3) 상기 다결정 반도체막을 마스크로하여 제1의 불순물을 상기 기판내에 도입하는 공정.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1의 불순물과 상기 제2의 불순물과는 다른 도전형의 반도체 불순물영역을 형성하는 것임을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890002022A 1988-02-24 1989-02-21 반도체장치 및 그 제조방법 KR0147372B1 (ko)

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JP63-39445 1988-02-24
JP88-39445 1988-02-24
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KR0147372B1 KR0147372B1 (ko) 1998-08-01

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