KR920017270A - 다결정 실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
다결정 실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 트랜지스터의 제조공정도이다.
Claims (6)
- 핫 캐리어 효과를 개선하기 위한 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 실리콘기판의 상부에 제1도전형과 반대되는 제2도전형의 에피층(1)을 성장시킨 후 상기 에피층(1)의 상부에 산화층(3a)을 성장시키고 상기 에피층(1)의 소정 영역에 제1도전형의 베이스영역(2)을 형성한 후 산화층(3a) 상부에 산화층(3b)을 성장시켜 산화층(3)을 형성하는 제1공정과, 상기 산화층(3a)을 식각하여 제1도전형의 베이스영역(2)의 소정영역에 에미터 창(4)을 형성하는 제2공정과, 제2도전형의 저농도(n-)의 다결정실리콘층을 침적시킨 후 에미터창에(4)에 저농도(n-)의 다결정실리콘층 사이드 월(9)을 형성하는 제3공정과, 제2도전형의 고농도(n+)의 다결정실리콘층을 침적시켜 고농도(n+)의 다결정실리콘 전극(10)을 형성하는 제4공정과, 열처리하는 동안 에미터영역(5)을 확산하는 제5공정과 이후의 통상적인 공정을 구비하여 상기의 공정이 연속으로 이루어짐을 특징으로 하는 다결정실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제1도전형의 불순물은 p형임을 특징으로 하는 다결정실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제2도전형의 불순물은 n형임을 특징으로 하는 다결정실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 에미터영역(5)은 제2도전형의 저농도(n-)의 다결정실리콘층 사이드 월(9)과 고농도(n+) 다결정실리콘 전극(10)을 확산소스로하여 확산되어짐을 특징으로 하는 다결정실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 에미터영역(5b)(5c)은 고농도(n+)의 다결정실리콘 전극(10) 또는 저농도(n-)의 다결정실리콘층 사이드월(9)에 각각 자기정합되어 확산되어짐을 특징으로 하는 다결정실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
- 제5항에 있어서, n-다결정실리콘층 사이드월(9)은 에미터영역(5)을 확산하는 동안 n+ 다결정실리콘층 전극(10)에 의하여 n+ 다결정실리콘층 사이드 월로 도핑되어짐을 특징으로 하는 다결정실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법.참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019910002806A KR920017270A (ko) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 다결정 실리콘 사이드 월(side wall)을 이용한 Laterally Graded Emitter(LGE)구조의 바이폴라 트랜지스터 제조방법 |
| JP3191545A JPH05308077A (ja) | 1991-02-21 | 1991-07-31 | バイポーラ型半導体装置およびその製造方法 |
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ID=19311319
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422360B1 (ko) * | 1996-10-29 | 2004-05-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 바이폴라트랜지스터및그의제조방법 |
| KR100505622B1 (ko) * | 1999-01-11 | 2005-08-04 | 삼성전자주식회사 | 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 |
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| JPS61198673A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02283032A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-20 | Nec Corp | 縦型バイポーラトランジスタ |
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- 1991-07-31 JP JP3191545A patent/JPH05308077A/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05308077A (ja) | 1993-11-19 |
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