JPH04167436A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04167436A JPH04167436A JP29663590A JP29663590A JPH04167436A JP H04167436 A JPH04167436 A JP H04167436A JP 29663590 A JP29663590 A JP 29663590A JP 29663590 A JP29663590 A JP 29663590A JP H04167436 A JPH04167436 A JP H04167436A
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に、高周波特性を向上
できる半導体装置に関するものである。
できる半導体装置に関するものである。
第３図は従来の半導体装置を示す断面図であり、図にお
いて、１はサブウェハ（Ｎ”層）、２はエピウェハ層（
Ｎ層）、５は酸化膜、６はベース領域（Ｐ層）、７は酸
化膜（ＣＶＤ膜等）、８はエミッタ領域である。
いて、１はサブウェハ（Ｎ”層）、２はエピウェハ層（
Ｎ層）、５は酸化膜、６はベース領域（Ｐ層）、７は酸
化膜（ＣＶＤ膜等）、８はエミッタ領域である。
次に、この半導体装置の製造方法について第４図を用い
て説明する。
て説明する。
まず第４図（ａ）に示すように、Ｎ１型サブウェハ１上
にエピタキシャル成長により、Ｎ型エピウェハ層２を形
成する。次にＮ型エピウェハ層２表面に酸化膜５を形成
し、ベース領域とすべきところを写真製版にて酸化膜５
を除去し、イオン注入法で不純物を注入しアニールして
、第４図（ｂ）に示すように、Ｐ型ベース領域６を形成
する。次に、酸化膜７をＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）等で形成し、写
真製版にてエミッタ形成領域の酸化膜７を除去し、イオ
ン注入法で不純物を注入しアニールして、第４図（Ｃ）
に示すように、Ｎ型エミッタ領域８を形成する。この後
、ベース領域のコンタクトをあけ、エミッタ、ベースの
電極を形成してトランジスタが完成する。
にエピタキシャル成長により、Ｎ型エピウェハ層２を形
成する。次にＮ型エピウェハ層２表面に酸化膜５を形成
し、ベース領域とすべきところを写真製版にて酸化膜５
を除去し、イオン注入法で不純物を注入しアニールして
、第４図（ｂ）に示すように、Ｐ型ベース領域６を形成
する。次に、酸化膜７をＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）等で形成し、写
真製版にてエミッタ形成領域の酸化膜７を除去し、イオ
ン注入法で不純物を注入しアニールして、第４図（Ｃ）
に示すように、Ｎ型エミッタ領域８を形成する。この後
、ベース領域のコンタクトをあけ、エミッタ、ベースの
電極を形成してトランジスタが完成する。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
エミッタ注入、アニール時にベース押し出し効果により
、第３図に示すように、エミッタ領域下のベース領域の
深さＷ、か深くなり、またエミッタを形成しない領域の
ベースの深さ方向の幅Ｗ、も広くなってベース濃度が低
下し、ベース走行時間が長くなる。このため、電流増幅
率は上がらず、また遮断周波数の低下を招き、高周波特
性か低下するという問題点かあった。
エミッタ注入、アニール時にベース押し出し効果により
、第３図に示すように、エミッタ領域下のベース領域の
深さＷ、か深くなり、またエミッタを形成しない領域の
ベースの深さ方向の幅Ｗ、も広くなってベース濃度が低
下し、ベース走行時間が長くなる。このため、電流増幅
率は上がらず、また遮断周波数の低下を招き、高周波特
性か低下するという問題点かあった。
高周波特性を向上させるためには、ベース領域の濃度を
上げて、ベース拡がり抵抗を低下することが必要である
が、従来の半導体装置では濃度を上げるとベース幅がさ
らに広くなり、上記の点を考慮すると、ベース幅の狭い
、ベース拡がり抵抗の低いベース領域を形成することは
困難である。
上げて、ベース拡がり抵抗を低下することが必要である
が、従来の半導体装置では濃度を上げるとベース幅がさ
らに広くなり、上記の点を考慮すると、ベース幅の狭い
、ベース拡がり抵抗の低いベース領域を形成することは
困難である。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ベース幅が狭くてベース濃度の高いベース領
域をもつ、高周波特性の向上できる半導体装置を得るこ
とを目的とする。
たもので、ベース幅が狭くてベース濃度の高いベース領
域をもつ、高周波特性の向上できる半導体装置を得るこ
とを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、サブウェハ上に順次エピ
タキシャル成長により形成されたエピウェハ、高濃度不
純物エピ層、及び低濃度不純物エピ層からなるエピタキ
シャル層に半導体素子領域を形成した構成としたもので
ある。
タキシャル成長により形成されたエピウェハ、高濃度不
純物エピ層、及び低濃度不純物エピ層からなるエピタキ
シャル層に半導体素子領域を形成した構成としたもので
ある。
本発明においては、サブウェハ上に順次エピタキシャル
成長により形成されたエピウェハ、高濃度不純物エピ層
、及び低濃度不純物エピ層からなるエピタキシャル層に
半導体素子領域を形成した構成としたから、上記高濃度
不純物エピ層がベースの押し出し効果及びベース領域の
高濃度化による拡散、縦方向の拡がりを防止するストッ
パとして作用し、ベース幅か狭くベース濃度の高いベー
ス領域が形成でき、これにより、半導体の遮断周波数の
上昇がはかられ、高周波特性の向上を図ることかできる
。
成長により形成されたエピウェハ、高濃度不純物エピ層
、及び低濃度不純物エピ層からなるエピタキシャル層に
半導体素子領域を形成した構成としたから、上記高濃度
不純物エピ層がベースの押し出し効果及びベース領域の
高濃度化による拡散、縦方向の拡がりを防止するストッ
パとして作用し、ベース幅か狭くベース濃度の高いベー
ス領域が形成でき、これにより、半導体の遮断周波数の
上昇がはかられ、高周波特性の向上を図ることかできる
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図であり、図において、ｌはサブウェハ（Ｎ”層）、
２はエピウェハ層、３は高濃度のＮ′″層、４は２より
濃度の低いＮ−層、５は酸化膜、６はベース領域、７は
酸化膜、８はエミッタ領域である。
面図であり、図において、ｌはサブウェハ（Ｎ”層）、
２はエピウェハ層、３は高濃度のＮ′″層、４は２より
濃度の低いＮ−層、５は酸化膜、６はベース領域、７は
酸化膜、８はエミッタ領域である。
次に本実施例による半導体装置の製造方法について第２
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、従来例と同様に、サ
ブウェハ１上にエピウェハ層２を成長する。次に、第２
図（ｂ）に示すように、このウェハ表面に分子線エピタ
キシャル成長法により、１０００〜２０００人の高濃度
のＮ１層３を形成し、その後１０００〜２０００人のベ
ース領域の深さに合致してＮ−層４を形成する。この後
、Ｎ−層４表面に酸化膜５を形成し、ベース領域形成部
分を写真製版にて除去し、弗化ボロン等を注入しアニー
ルして、第２図（Ｃ）４こ示すように、Ｐ型のベース領
域６を形成する。さらに表面に酸化膜７をＣＶＤ法で成
長し、エミッタ領域形成部分を写真製版にて除去し、ヒ
素又はリン等を注入しアニールして、第２図（ｄ）に示
すようにＮ型のエミッタ領域８を形成する。その後、ベ
ース領域にコンタクトをあけエミッタ、ベースの画電極
を形成してトランジスタか完成する。
ブウェハ１上にエピウェハ層２を成長する。次に、第２
図（ｂ）に示すように、このウェハ表面に分子線エピタ
キシャル成長法により、１０００〜２０００人の高濃度
のＮ１層３を形成し、その後１０００〜２０００人のベ
ース領域の深さに合致してＮ−層４を形成する。この後
、Ｎ−層４表面に酸化膜５を形成し、ベース領域形成部
分を写真製版にて除去し、弗化ボロン等を注入しアニー
ルして、第２図（Ｃ）４こ示すように、Ｐ型のベース領
域６を形成する。さらに表面に酸化膜７をＣＶＤ法で成
長し、エミッタ領域形成部分を写真製版にて除去し、ヒ
素又はリン等を注入しアニールして、第２図（ｄ）に示
すようにＮ型のエミッタ領域８を形成する。その後、ベ
ース領域にコンタクトをあけエミッタ、ベースの画電極
を形成してトランジスタか完成する。
ここで本実施例においては、ベース領域直下部分のエピ
タキシャル層を高濃度としたことにより、エミッタ注入
、アニール時にこの高濃度の層３がベース領域の拡散に
対してストッパとして作用するため、高濃度で浅いベー
ス領域を形成することができる。
タキシャル層を高濃度としたことにより、エミッタ注入
、アニール時にこの高濃度の層３がベース領域の拡散に
対してストッパとして作用するため、高濃度で浅いベー
ス領域を形成することができる。
なお、上記実施例ではＮＰＮ型のトランジスタに適用し
たものについて述へたが、本発明は各層の不純物の導電
型を逆にしたＰＮＰ型のトランジスタにも適用でき、上
記実施例と同様の効果を奏する。
たものについて述へたが、本発明は各層の不純物の導電
型を逆にしたＰＮＰ型のトランジスタにも適用でき、上
記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように本発明による半導体装置は、サブウェハ上
のエピタキシャル層か高濃度不純物エピ層と、該高濃度
不純物エピ層上に表面層として形成された低濃度不純物
エピ層とを含むものとしたから、上記高濃度不純物エピ
層かベースの押し出し効果を防止し、ベース拡がり抵抗
を低減でき、またベースの深さ方向の幅もウェハ面内で
均一化することかできる等の効果があり、高周波特性の
向上とともにウェハ面内でのＤＣ，ＲＦ特性のバラツキ
が低減され歩留まり向上にも効果がある。
のエピタキシャル層か高濃度不純物エピ層と、該高濃度
不純物エピ層上に表面層として形成された低濃度不純物
エピ層とを含むものとしたから、上記高濃度不純物エピ
層かベースの押し出し効果を防止し、ベース拡がり抵抗
を低減でき、またベースの深さ方向の幅もウェハ面内で
均一化することかできる等の効果があり、高周波特性の
向上とともにウェハ面内でのＤＣ，ＲＦ特性のバラツキ
が低減され歩留まり向上にも効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第２図はこの発明の一実施例による半導体装置の
製造フロー図、第３図は従来の半導体装置を示す断面図
、第４図は従来の半導体装置の製造フロー図である。 Ｉはサブウェハ、２はエピタキシャル成長によるＮ層、
３は分子線エピタキシャル成長によるＮ層層、４は分子
線エピタキシャル成長によるＮ−層、５は酸化膜、６は
ベース領域、７は酸化膜、８はエミッタ領域を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図はこの発明の一実施例による半導体装置の
製造フロー図、第３図は従来の半導体装置を示す断面図
、第４図は従来の半導体装置の製造フロー図である。 Ｉはサブウェハ、２はエピタキシャル成長によるＮ層、
３は分子線エピタキシャル成長によるＮ層層、４は分子
線エピタキシャル成長によるＮ−層、５は酸化膜、６は
ベース領域、７は酸化膜、８はエミッタ領域を示す。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）サブウェハ上に成長したエピタキシャル層に半導
体素子領域が形成された半導体装置において、 上記エピタキシャル層は、高濃度不純物エピ層と、該高
濃度不純物エピ層上に表面層として形成された低濃度不
純物エピ層とを含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29663590A JPH04167436A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29663590A JPH04167436A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04167436A true JPH04167436A (ja) | 1992-06-15 |
Family
ID=17836099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29663590A Pending JPH04167436A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04167436A (ja) |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP29663590A patent/JPH04167436A/ja active Pending
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