KR920015606A - 바이폴라 트랜지스터의 베이스전극 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)-(c)는 본 발명의 1실시예 따른 제조공정도이며 제2도(b)(c)는 제2도 (a)부분을 확대한 제조공정도이다.
Claims (1)
- 에피택셜층의 소정부분에 불순물주입에 의한 베이스확산층을 형성하고 전면에 산화막을 도포하는 공정과, 베이스전극 형성영역의 상기 산화막을 제거하고 전면에베이스 전극용 폴리실리콘을 도포한후 상기 베이스전극 형성영역의 상기 베이스확산층에 고농도 불순물영역을 형성하는 공정과, 상기 베이스전극용 폴리실리콘을 에치백하여 베이스전극을 형성하고 산화막으로된 측벽을 형성한후 상기 베이스확산층 내의 소정부분에 에미터 확산층을 형성하는 공정으로 이루어진 바이폴라 트랜지스터의 베이스전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000647A KR0172813B1 (ko) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 바이폴라 트랜지스터의 베이스전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019910000647A KR0172813B1 (ko) | 1991-01-16 | 1991-01-16 | 바이폴라 트랜지스터의 베이스전극 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015606A true KR920015606A (ko) | 1992-08-27 |
| KR0172813B1 KR0172813B1 (ko) | 1999-02-01 |
Family
ID=19309903
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR0172813B1 (ko) |
-
1991
- 1991-01-16 KR KR1019910000647A patent/KR0172813B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0172813B1 (ko) | 1999-02-01 |
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