KR920001747A - 바이폴라 트랜지스터의 디프콜렉터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A)~(I)는 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지스터의 디프콜렉터 제조공정도
Claims (2)
- 폴리실리콘 성장을 이용하여 소자의 콜렉터 저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터 디프콜렉터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 디프콜렉터와 에미터가 형성될 부분의 산화막을 에치한후 디프콜렉터 부분을 제외하고 폴토레지스터를 덮어 실리콘을 에피텍셜층 깊이만큼 에치한 다음 포토레지스터를 제거하고 도우프트 폴리실리콘을 디포지션한후 드라이 에치하고 불순물을 확산시켜 디프콜렉터와 에미터를 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 디프콜렉터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008546A KR920001747A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 바이폴라 트랜지스터의 디프콜렉터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008546A KR920001747A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 바이폴라 트랜지스터의 디프콜렉터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920001747A true KR920001747A (ko) | 1992-01-30 |
Family
ID=67482402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900008546A KR920001747A (ko) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 바이폴라 트랜지스터의 디프콜렉터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920001747A (ko) |
-
1990
- 1990-06-11 KR KR1019900008546A patent/KR920001747A/ko not_active Application Discontinuation
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