KR900019139A - 고성능 횡방향 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor)의 제조방법 - Google Patents
고성능 횡방향 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor)의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 횡방향 바이폴라 트랜지스터의 공정순서도를 나타내고 있다.
Claims (2)
- 고성능 횡방향 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 바이폴라 NPN 트랜지스터와 횡방향 PNP 트랜지스터를 집적시키는 공정과; 상기 트랜지스터에서 에미터와 콜렉터의 실리콘(Si)이 일정한 경사를 갖도록 식각하는 공정과; 상기 식각된 실리콘에서 P형 폴리실리콘과 산화막의 침적으로 확산층이 형성되는 자기정합 공정과로 되는 횡방향 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 실리콘의 식각된 부분에서 P형 폴리실리콘과 산화막 침적되게한 상기 실리콘(Si) 표면층을 이용하여 저농도의 확산층이 되도록 확산시키는 공정으로 전류이득의 감소 없이 내압이 증가되게한 횡방향 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019890005930A KR930000294B1 (ko) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 고성능 횡방향 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor)의 제조방법 |
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Publications (2)
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| KR900019139A true KR900019139A (ko) | 1990-12-24 |
| KR930000294B1 KR930000294B1 (ko) | 1993-01-15 |
Family
ID=19285875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019890005930A KR930000294B1 (ko) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 고성능 횡방향 바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor)의 제조방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR930000294B1 (ko) |
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1989
- 1989-05-02 KR KR1019890005930A patent/KR930000294B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR930000294B1 (ko) | 1993-01-15 |
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