KR920015594A - 바이폴라 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 구조 단면도.
Claims (1)
- 기판위에 기판과 다른 형의 에피택셜층을 형성하고 소자격리 영역을 형성하는 단계, 상기 에피택셜층내에 기판과 동형의 베이스고농도 메몰층과 기판과 다른 형의고농도 콜렉터영역을 형성하는 단계, 제1절연산화막을 증착하고 이 제1절연산화막의 베이스 고농도 메몰층상에 포토/에치 공정을 실시한 후 기판과 동형의 이온을 주입하여 에미터 영역과 베이스 활성영역을 형성하는 단계, 상기 제1절연산화막의 에치된 부위에 측벽산화막 형성공정을 실시하여 상기 베이스활성영역상의 에치된 부위는 메꾸고 에미터 영역상의 상측의 에치부위에는 측벽산화막을 형성하여 베이스 전극부위를 한정하는 단계, 상기 베이스전극부위에 에치공정을 실시하여 상기 베이스 고농도 메몰층표면까지 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트랜치내에 베이스전극용 폴리실리콘막을 형성하는 단계, 전체적으로 제2절연산화막을 형성하고 포토/에치 공정 및 금속증착공정을 실시하여 베이스와 에미터 및 콜렉터 금속전극을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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| KR920015594A true KR920015594A (ko) | 1992-08-27 |
| KR100192543B1 KR100192543B1 (ko) | 1999-07-01 |
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ID=19309498
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| KR (1) | KR100192543B1 (ko) |
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|---|---|---|---|---|
| KR101416881B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2014-07-08 | 에이피반도체 주식회사 | 베이스 안정 저항을 구비한 전력 바이폴라 트랜지스터 |
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1991
- 1991-01-07 KR KR1019910000113A patent/KR100192543B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR100192543B1 (ko) | 1999-07-01 |
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