KR930015053A - 고속 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 선택적 박막성장법으로 제조한 자기정렬 이종접합 쌍극자소자의 단면도.
제 2 도는 본 발명에 의한 완성한 자기정렬된 이종접합 쌍극자소자의 단면도.
제 3 도는 본 발명에 의한 선택적 박막성장법을 이용한 자기정렬 이종접합 쌍극자소자의 제조 공정순서별 단면도.
Claims (1)
- P형 규소기판(30)상에 N+형 규소층(31)과 N-형 규소층(32)을 순차 적층하고, 도랑(35)의 격리공정에 의해 소자를 격리하며, 이어 소자의 활성영역을 정의하는 공정과, 상기 N-형 규소층(32)에 이온주입하여 금속접촉을 위한 저항접촉부(33)를 형성하는 공정과, 다층절연막(37,38,39)을 차례로 도포한 다음 마스크 및 식각공정으로 에미터영역을 정의하는 공정과, 이어 절연막을 도포한 다음 비등방성 건식식각으로 측면절연막(40)을 형성하고 아울러 노출된 규소부분을 열산화하는 공정과, 상기 측면절연막(40)을 제거한 다음 다결정규소막(42)을 증착하고, 도포된 감광막(43)을 이용하여 상기 절연막(38)이 노출되게 평탄화하는 공정과, 상기 감광막(43)과 절연막(38)을 제거한 다음 다결정규소(42)를 열산화하는 공정과, 상기 에미터영역의 상기 절연막(37)(33)을 식각하고, 아울러 기체원 분자선 결정박막 성장법을 이용하여 상기 노출의 에미터영역에만 초미세박막 규소저매늄층(45)을 성장 및 측면절연막(46)을 형성하는 공정 및 상기 에미터영역에 다결정규소 도포하여 에미터를 형성하는 공정과, 금속을 증착하여 전극을 형성하는 공정을 포함하는 고속 쌍극자 트랜지스터 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR940007657B1 KR940007657B1 (ko) | 1994-08-22 |
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| US6849871B2 (en) * | 2000-10-20 | 2005-02-01 | International Business Machines Corporation | Fully-depleted-collector silicon-on-insulator (SOI) bipolar transistor useful alone or in SOI BiCMOS |
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1991
- 1991-12-26 KR KR1019910024509A patent/KR940007657B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR940007657B1 (ko) | 1994-08-22 |
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