KR970054349A - 대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법 - Google Patents

대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법 Download PDF

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KR970054349A
KR970054349A KR1019950055944A KR19950055944A KR970054349A KR 970054349 A KR970054349 A KR 970054349A KR 1019950055944 A KR1019950055944 A KR 1019950055944A KR 19950055944 A KR19950055944 A KR 19950055944A KR 970054349 A KR970054349 A KR 970054349A
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KR
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polysilicon
silicon substrate
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KR1019950055944A
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Inventor
김천수
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 불순물이 주입된 실리콘 기판(1)상에 불순물이 도핑된 폴리실리콘막(2)을 증착한 후 상기 폴리실리콘막(2)상에 제1절연막(3)을 형성하는 단계; 상기 제1절연막(3) 및 폴리실리콘막(2)을 일정크기로 패턴하는 단계; 전체구조 상부에 제2절연막을 도포한 후 전면식각하여 상기 패턴된 폴리실리콘막(2) 및 제1절연막(3)의 측벽에 절연막 스페이서(4)를 형성하는 단계; 상기 노출된 실리콘 기판(1)상에 불순물을 주입하여 제1불순물 주입 영역(5)를 형성하는 단계; 및 상기 제1절연막(3), 폴리실리콘막(2), 절연막 스페이서(4), 상기 제1불순물 주입 영역(5)의 일부를 도포하는 감광막 패턴(6) 형성한 후 상기 노출된 실리콘 기판(1) 상에 불순물을 주입하여 제2불순물 주입 영역(7)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.

Description

대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 바이폴라 트랜지스터의 구조도.

Claims (4)

  1. 대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 있어서, 불순물이 주입된 실리콘 기판 상에 불순물이 도핑된 폴리실리콘막을 증착한 후 상기 폴리실리콘막 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 및 폴리실리콘막을 일정크기로 패턴하는 단계; 전체구조 상부에 제2절연막을 도포한 후 전면식각하여 상기 패턴된 폴리실리콘막 및 제1절연막의 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 노출된 실리콘 기판 상에 불순물을 주입하여 제1불순물 주입영역을 형성하는 단계; 및 상기 제1절연막, 폴리실리콘막, 절연막 스페이서, 상기 제1불순물주입 영역의 일부를 도포하는 감광막 패턴 형성한 후 상기 노출된 실리콘 기판 상에 불순물을 주입하여 제2불순물 주입 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1불순물 주입 영역에 주입되는 불순물은 보론 이온인 것을 특징으로 하는 대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2불순물 주입 영역에 주입되는 불순물은 As이온인 것을 특징으로 하는 대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막은 고농도 n타입 불순물이 주입되는 것을 특징으로 하는 대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950055944A 1995-12-23 1995-12-23 대칭형 바이폴라 트랜지스터 제조방법 KR970054349A (ko)

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