KR920007211A - 고속 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

고속 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 고속 바이폴라 트랜지스터의 단면도,
제3도는 본 발명의 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조 공정도이다.

Claims (9)

  1. 실리콘 기판(1)상에 매몰층(2)과 에피택셜층(3)이 형성되어 있으며, 소자간 분리를 위한 필드산화막(8)의 하부에는 채널스톱영역(9)이 형성되어 있고, 접촉구를 통해 각각의 폴리실리콘 전극(27), (19),(28)이 금속 전극(30-33)과 전기적으로 접촉되어 있는 고속 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 폴리실리콘 베이스 전극(19)이 에피택셜층(3)에에 형성되어 있으며, 베이스 영역(25)의 하부에는 후막의 산화막(17)이 형성되어 있는 베이스 영역(25)과 콜렉터 영역(13)이 분리되어 있고, 베이스 전극인 폴리실리콘막(19)의 상부에는 산화막(21)이 형성되어 있으며, 그위에는 폴리실리콘으로 된 에미터 전극(27)및 콜렉터 전극(28)이 에미터 영역(26)과 콜렉터 영역(13)과 종방향으로 접촉되고, 폴리실리콘 베이스 전극(19)은 외부 베이스 영역(26)과 횡방향으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터.
  2. 실리콘기판(1)상에 통상의 매몰층 형성공정으로 N+매몰층(2)을 형성하고, N-에피택셜층(3)을 형성하는 공정과, 산화막(4)과 질화막(5)을 형성한 다음 사진식각하여 필드 산화막이 형성될 부위를 노출시키며, 이온주입을 한 다음 열산화공정을 수행하여 필드산화막(8)과 채널스톱영역(9)을 형성하는 공정과, 산화막(10)을 도포하고, 감광성 물질(11)을 물질을 도포한 다음 사진식각하여 개구부(12)를 형성하며, 감광성 물질(11)을 마스크로 하여 개구부(12)로 불순물을 이온 주입하고, 열처리공정을 수행하여 콜렉터 영역(13)을 형성하는 공정과, 에피택셜층(3)내에 후막의 산화막(17)을 형성하는 공정과, 폴리실리콘막(18)을 도포한 다음 폴리싱공정을 수행하여 평탄면을 갖는 베이스전극(19)을 형성하는 공정과, 베이스 영역을 형성하는 공정과, 폴리실리콘막(23)상에 N형 불순물을 이온주입한 다음 열확산방법으로 침투시켜 에미터 영역(26)을 형성하는 공정과, 사진식각공정을 통하여 폴리실리콘막(23)을 식각하여 에미터 전극(27)과 콜렉터 전극(28)을 형성하는 공정과, 플라즈마 증착법(PECVD)으로 산화막(29)을 기판전면에 걸쳐 침적시키고, 사진식각공정을 수행하여 콜렉터, 베이스 및 에미터 전극이 형성될 부분을 노출시키는 공정과, 금속배선공을 실시하여 메미터전극(30), 베이스전극(31) 및 콜렉터전극(32)을 형성하는 공정으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 후막의 산화막(17)을 형성하는 공정은, 산화막(10)상에 저압증착법(LPCVD)으로 질화막(14)을 형성하는 스텝과, 산화막(15),질화막(14)및 산화막(10)을 순차 식각하여 패턴을 형성하는 스텝과, 베이스 전극이 형성될 부위의 N-에피택셜층(3)을 비등방성식각하는 스텝과, 기판전면에 걸쳐 저압증착법으로 질화막(16)을 침적시키는 스텝과, 상기 질화막(16)을 비등방성으로 식각하여 측벽 질화막(16')을 형성하는 스탭과, 베이스 영역내에 통상의 열산화방법으로 후막의 산화막(17)을 형성하는 스탭으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 측벽 질화막(16')을 마스크로 하여 에피택셜층(3)내에만 산화막(17)이 형성되어지도록 하는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서, 베이스 전극이 형성될 부위를 식각할때 산화막(15), 질화막(14) 및 패드 산화막(10)을 마스크로 하는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제2항에 있어서, 베이스 영역을 형성하기 위한 공정은 폴리실리콘 베이스 전극(19)을 형성한 다음 기판전면에 걸쳐 불순물을 이온주입하는 스텝과, 산화막(15)을 습식식각방법으로 제거하는 스탭과, 폴리실리콘 전극(19)상에 산화막(20)을 성장시키는 스텝과, 질화막(14)과 패드 산화막(10)을 제거하는 스텝과, 다음 다시 박막의 산오막(21)을 성장시킨 다음 P형 불순물을 이온주입사는 스텝과, 산화막을 침적시킨 다음 비등방성으로 식각하여 측벽스페이서(22)를 형성하는 스텝과, 기판전면에 폴리실리콘막(23)을 침적시키는 스텝과 불순물을 폴리실리콘(23)으로 이온주입한 다음 확산시켜 전성베이스영역(24)과 외부 베이스영역(25)을 형성하는 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 폴리실리콘 베이스 전극(19)이 외부 베이스 영역(25)의 확산 소오스가 되어 불순물이 횡방향으로 확산되는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 질화막(14)을 마스크로 하여 산화막(20)을 폴리실리콘 베이스 전극(19)의 상부와 측벽에만 형성되어지도록 하는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 질화막(14)과 패드 산화막(10)의 식각시 산화막(20)을 식각마스크로 하는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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