JPS62243361A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62243361A JPS62243361A JP8648686A JP8648686A JPS62243361A JP S62243361 A JPS62243361 A JP S62243361A JP 8648686 A JP8648686 A JP 8648686A JP 8648686 A JP8648686 A JP 8648686A JP S62243361 A JPS62243361 A JP S62243361A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 35
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- -1 Boron ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置特にエミッタとの自己整合的ベース
コンタクトを有するバイポーラトランジスタの製造方法
に関する。
コンタクトを有するバイポーラトランジスタの製造方法
に関する。
従来の技術
従来、高周波特性のすぐれたバイポーラトランジスタと
前記トランジスタを用いた集積回路を実現するためにＮ
ＰＮ ）ランジスタのエミッタ領域をメサ構造にするの
が一般的に行なわれている。
前記トランジスタを用いた集積回路を実現するためにＮ
ＰＮ ）ランジスタのエミッタ領域をメサ構造にするの
が一般的に行なわれている。
第２図にその構成を示す。第２図において１はＮ型エピ
タキシャル層、２はシリコン酸化膜、３は第１の多結晶
シリコン膜、４はシリコン窒化膜、７はＮ＋層（エミッ
タ領域）、８はＰ一層（活性ベース領域）、９はＰ＋層
（ベースコンタクト領域）を示す。すなわち、第２図に
おいて、コレクタ領域となるＮ型エピタキンヤル層１の
表面に、シリコン酸化膜２をマスクとしてＰ一層（活性
ベース領域）８を形成後其の上に砒素をドープした第１
の多結晶膜を選択的に、砒素を不純物として附着し浅い
Ｎ＋層（エミッタ領域）７を、窒素雰囲気中、９６０〜
１０００℃で前記エピタキシャル層中に拡散させ、つい
で、Ｐ一層（活性ベース領域）８を形成する際のマスク
としてのシリコン酸化膜２とＮ＋層７上の第１の多結晶
シリコン層の全面に減圧ＣＶＤ法でシリコン窒化膜４を
蒸着する。次にシリコン窒化膜４を、例えば０ＦＰＲ−
８ｏ○などのポジ型ホトレジストパターンをマスクにし
て、異方性ドライエツチング法によりエツチングする。
タキシャル層、２はシリコン酸化膜、３は第１の多結晶
シリコン膜、４はシリコン窒化膜、７はＮ＋層（エミッ
タ領域）、８はＰ一層（活性ベース領域）、９はＰ＋層
（ベースコンタクト領域）を示す。すなわち、第２図に
おいて、コレクタ領域となるＮ型エピタキンヤル層１の
表面に、シリコン酸化膜２をマスクとしてＰ一層（活性
ベース領域）８を形成後其の上に砒素をドープした第１
の多結晶膜を選択的に、砒素を不純物として附着し浅い
Ｎ＋層（エミッタ領域）７を、窒素雰囲気中、９６０〜
１０００℃で前記エピタキシャル層中に拡散させ、つい
で、Ｐ一層（活性ベース領域）８を形成する際のマスク
としてのシリコン酸化膜２とＮ＋層７上の第１の多結晶
シリコン層の全面に減圧ＣＶＤ法でシリコン窒化膜４を
蒸着する。次にシリコン窒化膜４を、例えば０ＦＰＲ−
８ｏ○などのポジ型ホトレジストパターンをマスクにし
て、異方性ドライエツチング法によりエツチングする。
ついで、シリコン窒化膜４をマスクとしてＰ一層８（活
性ベース領域）をエツチングして、Ｎ＋型エミッタ領域
を形成した後、熱酸化法により、Ｐ一層８とＮ＋層７と
第１の多結晶シリコン膜３の露出部にシリコン酸化膜２
を形成する。さらに、シリコン窒化膜４を熱リン酸でエ
ツチング除去し、第１の多結晶ンリコン膜３を露出させ
エミッタコンタクト窓を形成した後、Ｐ一層５ ・−−
７ ８上のシリコン酸化膜２の所の領域を、ホトレジストパ
ターンをマスクとして、選択的にエツチング除去し、ベ
ースコンタクト窓を形成し、続いて前記ホトレジストパ
ターンをマスクとして、イオン注入法により、加速電圧
６ｏ〜１００ ＫｅＶ、ドーズ量１〜３×１０１５Ｃ１
１！−２程度で硼素イオン（Ｂ＋）を注入し、ホトレジ
ストパターンをエツチング除去後、熱拡散してＰ＋層（
ベースコンタクト領域）９を形成する。３ 発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、メサ構造のＮ＋層（エミッ
タ領域）７を形成するために微細パターン形成用のマス
ク工程が必要であり、かかるマスク工程の寸法精度によ
ってＮ＋層（エミッタ領域）７のパターン寸法は制限さ
れ、しだがって、かかるマスク工程の存在が、高周波特
性の白土に不可欠なＮ＋層（エミッタ領域）７のパター
ンの微細化に対する大きな問題点になっていた。
性ベース領域）をエツチングして、Ｎ＋型エミッタ領域
を形成した後、熱酸化法により、Ｐ一層８とＮ＋層７と
第１の多結晶シリコン膜３の露出部にシリコン酸化膜２
を形成する。さらに、シリコン窒化膜４を熱リン酸でエ
ツチング除去し、第１の多結晶ンリコン膜３を露出させ
エミッタコンタクト窓を形成した後、Ｐ一層５ ・−−
７ ８上のシリコン酸化膜２の所の領域を、ホトレジストパ
ターンをマスクとして、選択的にエツチング除去し、ベ
ースコンタクト窓を形成し、続いて前記ホトレジストパ
ターンをマスクとして、イオン注入法により、加速電圧
６ｏ〜１００ ＫｅＶ、ドーズ量１〜３×１０１５Ｃ１
１！−２程度で硼素イオン（Ｂ＋）を注入し、ホトレジ
ストパターンをエツチング除去後、熱拡散してＰ＋層（
ベースコンタクト領域）９を形成する。３ 発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、メサ構造のＮ＋層（エミッ
タ領域）７を形成するために微細パターン形成用のマス
ク工程が必要であり、かかるマスク工程の寸法精度によ
ってＮ＋層（エミッタ領域）７のパターン寸法は制限さ
れ、しだがって、かかるマスク工程の存在が、高周波特
性の白土に不可欠なＮ＋層（エミッタ領域）７のパター
ンの微細化に対する大きな問題点になっていた。
本発明の目的は、」二連Ｎ＋層（エミッタ領域）７のパ
ターン微細化に対する問題点を解決した半６ ・＼−７ 導体装置の製造方法を提供するものである。
ターン微細化に対する問題点を解決した半６ ・＼−７ 導体装置の製造方法を提供するものである。
問題点を解決するだめの手段
前記の問題点を解決するために、本発明は一導電型半導
体基板上に前記半導体基板と同導電型のエピタキシャル
層を形成する工程と、前記エピタキシャル層上に第１の
多結晶ンリコン膜と第１の絶縁膜とを順次積層する工程
と、前記第１の多結晶シリコン膜中に前記半導体基板と
逆導電型の高濃度不純物イオンを注入する工程と、公知
のフォトリソグラフィ法により前記第１の絶縁膜と前記
第１の多結晶シリコン膜と其の直下の前記エピタキシャ
ル層の一部との所定の領域を選択的に異方性エツチング
する工程と、前記第１の絶縁膜と前記第１の多結晶シリ
コン膜と前記エピタキシャル層との露出面に第２の絶縁
膜を蒸着する工程と、異方性エツチングにより前記第２
の絶縁膜を前記第１の絶縁膜と前記第１の多結晶ンリコ
ン膜と其の直下の前記エピタキシャル層との側壁にのみ
残す工程と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜と前
記エピタキシャル層との露出面玉に第２の多結晶第２の
多結晶ンリコン膜を附着する工程と、前記第２の多結晶
ンリコン膜中に前記半導体基板と逆導電型の低濃度の第
１の不純物イオンと前記半導体基板と同導電型の高濃度
の第２の不純物イオンとを、前記第１の不純物イオンが
前記第２の不純物イオンよりも深部に達するように注入
する工程と、異方性エツチングにより前記第２の多結晶
シリコン膜を前記第２の絶縁膜の両側壁上と前記エピタ
キシャル層の一部の露出面上にのみ残す工程と、公知の
フォトリソグラフィ法により前記第２の絶縁膜の両側壁
上の前記第２の多結晶シリコン膜の何れか一方のみをエ
ツチング除去する工程と、前記第１の多結晶シリコン膜
中の前記半導体基板と逆導電型の不純物と前記第２の多
結晶シリコン膜中の前記第１の不純物イオンと前記第２
の不純物イオンとを前記エピタキシャル層中に同時に拡
散して接合を形成すると共に、前記第１の多結晶シリコ
ンから拡散された前記半導体基板と逆導電型の不純物領
域と前記第２の多結晶ンリコンから拡散された前記第１
の不純物イオン領域とを前記エピタキシャル層中で接触
させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の
製造方法を提供する。
体基板上に前記半導体基板と同導電型のエピタキシャル
層を形成する工程と、前記エピタキシャル層上に第１の
多結晶ンリコン膜と第１の絶縁膜とを順次積層する工程
と、前記第１の多結晶シリコン膜中に前記半導体基板と
逆導電型の高濃度不純物イオンを注入する工程と、公知
のフォトリソグラフィ法により前記第１の絶縁膜と前記
第１の多結晶シリコン膜と其の直下の前記エピタキシャ
ル層の一部との所定の領域を選択的に異方性エツチング
する工程と、前記第１の絶縁膜と前記第１の多結晶シリ
コン膜と前記エピタキシャル層との露出面に第２の絶縁
膜を蒸着する工程と、異方性エツチングにより前記第２
の絶縁膜を前記第１の絶縁膜と前記第１の多結晶ンリコ
ン膜と其の直下の前記エピタキシャル層との側壁にのみ
残す工程と、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜と前
記エピタキシャル層との露出面玉に第２の多結晶第２の
多結晶ンリコン膜を附着する工程と、前記第２の多結晶
ンリコン膜中に前記半導体基板と逆導電型の低濃度の第
１の不純物イオンと前記半導体基板と同導電型の高濃度
の第２の不純物イオンとを、前記第１の不純物イオンが
前記第２の不純物イオンよりも深部に達するように注入
する工程と、異方性エツチングにより前記第２の多結晶
シリコン膜を前記第２の絶縁膜の両側壁上と前記エピタ
キシャル層の一部の露出面上にのみ残す工程と、公知の
フォトリソグラフィ法により前記第２の絶縁膜の両側壁
上の前記第２の多結晶シリコン膜の何れか一方のみをエ
ツチング除去する工程と、前記第１の多結晶シリコン膜
中の前記半導体基板と逆導電型の不純物と前記第２の多
結晶シリコン膜中の前記第１の不純物イオンと前記第２
の不純物イオンとを前記エピタキシャル層中に同時に拡
散して接合を形成すると共に、前記第１の多結晶シリコ
ンから拡散された前記半導体基板と逆導電型の不純物領
域と前記第２の多結晶ンリコンから拡散された前記第１
の不純物イオン領域とを前記エピタキシャル層中で接触
させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の
製造方法を提供する。
作 用
従来、バイポーラトランジスタを用いた集積回路におい
て、ＮＰＮ）ランジスタのＮ＋層（エミッタ領域）７を
形成するために、微細パターン形成用のマスク工程が必
要であり、かかるマスク工程の存在が、特に高周波特性
の向上に不可欠な１層（エミッタ領域）７のバタ、−ン
微細化に対して大きな障害となる。ここで、本発明では
、図１に示しだように、マスク工程を経ずに、高濃度の
Ｎ型不純物と低濃度のＰ型不純物をドープした第２の多
結晶ンリコン膜６を選択的に形成した後、熱拡散してＮ
層（エミッタ領域）７とＰ一層（活性ベース領域）８
を同時形成することが可能であり、その故、エミッタお
よび活性ベース形成用のマスク工程も必要なく、高周波
特性の向上に不可欠なＮ＋層（エミッタ領域）７とＰ一
層（活性ベース領域）８の微細化を容易にすることがで
きる。
て、ＮＰＮ）ランジスタのＮ＋層（エミッタ領域）７を
形成するために、微細パターン形成用のマスク工程が必
要であり、かかるマスク工程の存在が、特に高周波特性
の向上に不可欠な１層（エミッタ領域）７のバタ、−ン
微細化に対して大きな障害となる。ここで、本発明では
、図１に示しだように、マスク工程を経ずに、高濃度の
Ｎ型不純物と低濃度のＰ型不純物をドープした第２の多
結晶ンリコン膜６を選択的に形成した後、熱拡散してＮ
層（エミッタ領域）７とＰ一層（活性ベース領域）８
を同時形成することが可能であり、その故、エミッタお
よび活性ベース形成用のマスク工程も必要なく、高周波
特性の向上に不可欠なＮ＋層（エミッタ領域）７とＰ一
層（活性ベース領域）８の微細化を容易にすることがで
きる。
９・・一
実施例
以下本発明の一実施例について第１図を用いて説明する
。第１図において、１はＮ型エピタキシャル層、２はシ
リコン酸化膜、３は第１の多結晶シリコン膜、４はシリ
コン窒化膜、６は減圧ＣＶＤ法により形成した高温酸化
膜（ＨＴＯ）、６は高濃度のＮ型不純物と低濃度のＰ型
不純物をドープした第２の多結晶シリコン膜、７はＮ＋
層（エミッタ領域）、８はＰ一層（活性ベース領域）、
９はＰ＋層（ベースコンタクト領域）を示す。すなわち
、第１図において、コレクタ領域となるＮ型エピタキシ
ャル層１の表面に熱酸化によりシリコン酸化膜２を形成
し、所定の領域のシリコン酸化膜２をホトレジストパタ
ーンをマスクトシてエツチングしてＮ型エピタキシャル
層１の所定の領域を露出させた後、第１の多結晶シリコ
ン膜３とシリコン窒化膜４を減圧ＣＶＤ法により、各々
、２０００〜３０００Ａ１１ｏＯｏ〜１５０ｏ八程度に
蒸着し、ついで、イオン注入法により、全面に、打ち込
みエネルギー４０ＫｅＶ、ドーズ量２〜３ Ｘ １０”
ｔｙｎ−２程度で硼素イオン（Ｂ＋）を注入した後、
ホトレジストパターンをマスクにシテ、異方性ドライエ
ツチング法により、シリコン窒化膜４と第１の多結晶シ
リコン膜３と直下のＮ型エピタキンヤル層１の一部（深
さ方向へ５ｏｏｏ人程度）をエツチングした後、減圧Ｃ
ＶＤ法により、原料ガスとして、ジクロールンラン（Ｓ
Ｉ Ｈ２ＣＩＪ ２ ） ト亜酸化窒素（Ｎ２０）を
用いて、８５０〜９００℃程度の成長温度で、高温酸化
膜（ＨＴＯ）６を３０００〜４０００人程度に蒸着し、
変形で、マスク工程を経ずに異方性ドライエツチング装
置を用いてエツチングして、シリコン窒化膜４と第１の
多結晶シリコン膜３とＰ＋層（ベースコンタクト領域）
９の側壁露出面に、選択的に高温酸化膜（ＨＴＯ）５を
形成し、さらに減圧ＣＶＤ法により、原料ガスとして、
モノンラン（ＳｉＨ４）を用いて、６６０〜６６０℃程
度の成長温度で第２の多結晶シリコン膜６を４０００〜
６０００八程度に蒸着した後、イオン注入法により、全
面に、打ち込みエネルギー６０ＫｅＶ、ドーズ量６×１
０１５ｍ−２１１ ・ 程度で砒素イオンを注入し、ついで、全面に、打ち込み
エネルギー１６ｏＫｅｖ１ ドーズ量１×１０１３ＣＴ
ｎ−２程度で硼素イオン（Ｂ＋）を注入する。次に、マ
スク工程を経ずに異方性ドライエツチング装置を用いて
エツチングすることにより、高温酸化膜（ＨＴＯ）５の
側壁露出面とＮ型エピタキシャル層１の露出面の一部に
選択的に高濃度のＮ型不純物と低濃度のＰ型不純物を含
んだ第２の多結晶シリコン膜６を形成し、さらに、選択
的に形成した第２の多結晶シリコン膜６のうち、図１に
示したように、左側壁の第２の多結晶シリコン膜はホト
レジストパターンを用いて、弗酸と硝酸の混合溶液にて
エツチング除去し、ついで、ホトレジストパターンをエ
ツチング除去した後、窒素雰囲気中、９００〜１０００
℃の温度で熱処理して、第１の多結晶ンリコン膜３中の
高濃度の硼素と第２の多結晶シリコン膜中の高濃度の砒
素と低濃度の硼素をＮ型エピタキシャル層１に同時拡散
して、Ｐ＋層９（ベースコンタクト領域）とＮ＋層（エ
ミッタ領域）７とＰ一層（活性ベース領域）８を同時形
成する。
。第１図において、１はＮ型エピタキシャル層、２はシ
リコン酸化膜、３は第１の多結晶シリコン膜、４はシリ
コン窒化膜、６は減圧ＣＶＤ法により形成した高温酸化
膜（ＨＴＯ）、６は高濃度のＮ型不純物と低濃度のＰ型
不純物をドープした第２の多結晶シリコン膜、７はＮ＋
層（エミッタ領域）、８はＰ一層（活性ベース領域）、
９はＰ＋層（ベースコンタクト領域）を示す。すなわち
、第１図において、コレクタ領域となるＮ型エピタキシ
ャル層１の表面に熱酸化によりシリコン酸化膜２を形成
し、所定の領域のシリコン酸化膜２をホトレジストパタ
ーンをマスクトシてエツチングしてＮ型エピタキシャル
層１の所定の領域を露出させた後、第１の多結晶シリコ
ン膜３とシリコン窒化膜４を減圧ＣＶＤ法により、各々
、２０００〜３０００Ａ１１ｏＯｏ〜１５０ｏ八程度に
蒸着し、ついで、イオン注入法により、全面に、打ち込
みエネルギー４０ＫｅＶ、ドーズ量２〜３ Ｘ １０”
ｔｙｎ−２程度で硼素イオン（Ｂ＋）を注入した後、
ホトレジストパターンをマスクにシテ、異方性ドライエ
ツチング法により、シリコン窒化膜４と第１の多結晶シ
リコン膜３と直下のＮ型エピタキンヤル層１の一部（深
さ方向へ５ｏｏｏ人程度）をエツチングした後、減圧Ｃ
ＶＤ法により、原料ガスとして、ジクロールンラン（Ｓ
Ｉ Ｈ２ＣＩＪ ２ ） ト亜酸化窒素（Ｎ２０）を
用いて、８５０〜９００℃程度の成長温度で、高温酸化
膜（ＨＴＯ）６を３０００〜４０００人程度に蒸着し、
変形で、マスク工程を経ずに異方性ドライエツチング装
置を用いてエツチングして、シリコン窒化膜４と第１の
多結晶シリコン膜３とＰ＋層（ベースコンタクト領域）
９の側壁露出面に、選択的に高温酸化膜（ＨＴＯ）５を
形成し、さらに減圧ＣＶＤ法により、原料ガスとして、
モノンラン（ＳｉＨ４）を用いて、６６０〜６６０℃程
度の成長温度で第２の多結晶シリコン膜６を４０００〜
６０００八程度に蒸着した後、イオン注入法により、全
面に、打ち込みエネルギー６０ＫｅＶ、ドーズ量６×１
０１５ｍ−２１１ ・ 程度で砒素イオンを注入し、ついで、全面に、打ち込み
エネルギー１６ｏＫｅｖ１ ドーズ量１×１０１３ＣＴ
ｎ−２程度で硼素イオン（Ｂ＋）を注入する。次に、マ
スク工程を経ずに異方性ドライエツチング装置を用いて
エツチングすることにより、高温酸化膜（ＨＴＯ）５の
側壁露出面とＮ型エピタキシャル層１の露出面の一部に
選択的に高濃度のＮ型不純物と低濃度のＰ型不純物を含
んだ第２の多結晶シリコン膜６を形成し、さらに、選択
的に形成した第２の多結晶シリコン膜６のうち、図１に
示したように、左側壁の第２の多結晶シリコン膜はホト
レジストパターンを用いて、弗酸と硝酸の混合溶液にて
エツチング除去し、ついで、ホトレジストパターンをエ
ツチング除去した後、窒素雰囲気中、９００〜１０００
℃の温度で熱処理して、第１の多結晶ンリコン膜３中の
高濃度の硼素と第２の多結晶シリコン膜中の高濃度の砒
素と低濃度の硼素をＮ型エピタキシャル層１に同時拡散
して、Ｐ＋層９（ベースコンタクト領域）とＮ＋層（エ
ミッタ領域）７とＰ一層（活性ベース領域）８を同時形
成する。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、エミッタ領域と活性ベ
ース領域は自己整合的に形成され、微細パターン形成用
のマスク工程を用いなくても、微細なエミッタ領域と活
性ベース領域を形成することができ、高周波特性のすぐ
れたバイポーラトランジスタ等を容易に実現することが
可能となる。
ース領域は自己整合的に形成され、微細パターン形成用
のマスク工程を用いなくても、微細なエミッタ領域と活
性ベース領域を形成することができ、高周波特性のすぐ
れたバイポーラトランジスタ等を容易に実現することが
可能となる。
第１図は本発明の一実施例によるバイポーラトランジス
タの断面図、第２図は従来のバイポーラトランジスタの
断面図である。 １・・・Ｎ型エピタキシャル層、２・・・・ンリコン酸
化膜、３・・・第１の多結晶シリコン膜、４・・・・・
・シリコン窒化膜、５・・・・・・高温酸化膜（）ＩＴ
Ｏ）、６・・・・・・第２の多結晶シリコン膜、７・・
・・・・Ｎ＋層（エミッタ領域）、８・・・Ｐ一層（活
性ベース領域）、９・・・・・Ｐ＋層（ベースコンタク
ト領域）。
タの断面図、第２図は従来のバイポーラトランジスタの
断面図である。 １・・・Ｎ型エピタキシャル層、２・・・・ンリコン酸
化膜、３・・・第１の多結晶シリコン膜、４・・・・・
・シリコン窒化膜、５・・・・・・高温酸化膜（）ＩＴ
Ｏ）、６・・・・・・第２の多結晶シリコン膜、７・・
・・・・Ｎ＋層（エミッタ領域）、８・・・Ｐ一層（活
性ベース領域）、９・・・・・Ｐ＋層（ベースコンタク
ト領域）。
Claims (1)
- 一導電型半導体基板上に前記半導体基板と同導電型のエ
ピタキシャル層を形成する工程と、前記エピタキシャル
層上に第１の多結晶シリコン膜と第１の絶縁膜とを順次
積層する工程と、前記第１の多結晶シリコン膜中に前記
半導体基板と逆導電型の高濃度不純物イオンを注入する
工程と、公知のフォトリソグラフィ法により前記第１の
絶縁膜と前記第１の多結晶シリコン膜と其の直下の前記
エピタキシャル層の一部との所定の領域を選択的に異方
性エッチングする工程と、前記第１の絶縁膜と前記第１
の多結晶シリコン膜と前記エピタキシャル層との露出面
に第２の絶縁膜を蒸着する工程と、異方性エッチングに
より前記第２の絶縁膜を前記第１絶縁膜と前記第１の多
結晶シリコン膜と其の直下の前記エピタキシャル層との
側壁にのみ残す工程と、前記第１の絶縁膜と前記第２の
絶縁膜と前記エピタキシャル層との露出面上に第２の多
結晶シリコン膜を附着する工程と、前記第２の多結晶シ
リコン膜中に前記半導体基板と逆導電型の低濃度の第１
の不純物イオンと前記半導体基板と同導電型の高濃度の
第２の不純物イオンとを、前記第１の不純物イオンが前
記第２の不純物イオンよりも深部に達するように注入す
る工程と、異方性エッチングにより前記第２の多結晶シ
リコン膜を前記第２の絶縁膜の両側壁上と前記エピタキ
シャル層の一部の露出面上にのみ残す工程と、公知のフ
ォトリソグラフィ法により前記第２の絶縁膜の両側壁上
の前記第２の多結晶シリコン膜の何れか一方のみをエッ
チング除去する工程と、前記第１の多結晶シリコン膜中
の前記半導体基板と逆導電型の不純物と、前記第２の多
結晶シリコン膜中の前記第１の不純物イオンと前記第２
の不純物イオンとを前記エピタキシャル層中に同時に拡
散して接合を形成すると共に、前記第１の多結晶シリコ
ンから拡散された前記半導体基板と逆導電型の不純物領
域と前記第２の多結晶シリコンから拡散された前記第１
の不純物イオン領域とを前記エピタキシャル層中で接触
させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8648686A JPS62243361A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8648686A JPS62243361A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243361A true JPS62243361A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13888309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8648686A Pending JPS62243361A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204275A (en) * | 1990-12-26 | 1993-04-20 | North American Philips Corp. | Method for fabricating compact bipolar transistor |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP8648686A patent/JPS62243361A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5204275A (en) * | 1990-12-26 | 1993-04-20 | North American Philips Corp. | Method for fabricating compact bipolar transistor |
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