KR920007144A - 다결정 실리콘을 사용한 바이폴라 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
다결정 실리콘을 사용한 바이폴라 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도.
Claims (1)
- 기판위에 매몰층과 에피택셜층 및 소자격리영역이 형성된 이후의 공정에 있어서, 베이스 이온을 주입 및 확산시켜 쉘로우 베이스 영역을 형성하는 단계와, 에미터 및 콜렉터영역 형성을 위한 포토/에치공정후 이온이 도핑된 다결정실리콘과 도핑되지 않은 다결정 실리콘 및 산화막을 차례로 형성하는 단계, 다시 에미터 및 콜렉터 영역 형성을 위한 포토공정을 상기 산화막 위에 실시한 다음 화학에칭작업을 실시하는 단계, 웨이퍼 전면에 이온주입을 실시하고 CVD산화막과 질화막을 차례로 형성한 다음 새도우 부분은 에치하지 않고 상측 질화막인 플라즈마법으로 에치하는 단계, 상측 산화막을 습식에치한 후 금속전극을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로하는 다결정 실리콘을 사용한 바이폴라 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR920007144A true KR920007144A (ko) | 1992-04-28 |
| KR930009471B1 KR930009471B1 (ko) | 1993-10-04 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR200490690Y1 (ko) | 2019-06-03 | 2019-12-17 | 주식회사 에이피라인 | 독서실용 책상 |
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1990
- 1990-09-13 KR KR1019900014490A patent/KR930009471B1/ko not_active IP Right Cessation
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