KR910005306A - Cvd법을 이용한 새부리 없는 격리 공정방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

CVD법을 이용한 새부리 없는 격리 공정방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 제조 공정도.

Claims (1)

1. 웨이퍼(1)에 기초산화막(2)을 형성한 후 이온주입을 하여 문턱전압을 조절하게 하고, 그 위에 절화막(3)과 다결정실리콘층(4)을 형성하고 이 다결정 실리콘층(4)을 식각 한 후 질화막(3), 다결정 실리콘층(4), 기초산화막(2)의 시작 및 격리를 위한 이온주입을 하고, 질화막(3)과 다결정 실리콘층(4)을 식각하여 기초산화막(2)위에 격리산화막(5)을 증착시킨 후 다시 격리산화막(5)과 기초 산화막(2)을 시각하여 활성영역(6)을 형성함을 특징으로 하는 CVD법을 이용한 세부리 없는 격리 공정방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.