KR910005483A - 캐패시터 제조 방법 - Google Patents
캐패시터 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910005483A KR910005483A KR1019890012080A KR890012080A KR910005483A KR 910005483 A KR910005483 A KR 910005483A KR 1019890012080 A KR1019890012080 A KR 1019890012080A KR 890012080 A KR890012080 A KR 890012080A KR 910005483 A KR910005483 A KR 910005483A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- capacitor
- oxide film
- ion
- silicon
- pattern
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 캐패시터 제조 공정도.
Claims (1)
- 실리콘 기판(1)위에 실리콘 산화막(2)을 저압화학 증착시킨후 감광막(3)으로 트랜지스터가 형성될 액티브 부분과 휠드(Field)와 캐패시터가 형성될 부분을 결정하는 공정과, 상기 공정후 건식 식각 한다음 선택적 에피택셜 성장을 실시하는 공정과, 상기 공정후 게이트를 형성 한 다음 이온 주입하여 소오스/드레인을 형성하고 그위에 저온 화학 증착법에 의해 실리콘 산화막(5)을 덮는 공정과, 상기 공정후 캐패시터가 형성될 부분의 산화막을 트랜치 한다음 다결정 실리콘(6)을 덮고 그후 이온주입하여 패턴을 형성하는 공정과, 상기 공정후 유전체막(7)을 형성한 다음 그 위에 다결정 실리콘(6)을 덮고 이온 주입후 패턴을 형성하는 공정을 거쳐 캐패시터를 완성하는 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890012080A KR0156098B1 (ko) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890012080A KR0156098B1 (ko) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910005483A true KR910005483A (ko) | 1991-03-30 |
| KR0156098B1 KR0156098B1 (ko) | 1998-10-15 |
Family
ID=19289211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890012080A KR0156098B1 (ko) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 반도체 소자의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0156098B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375623B1 (ko) * | 2000-10-04 | 2003-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 진공 청소기의 팬 구조 |
-
1989
- 1989-08-24 KR KR1019890012080A patent/KR0156098B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100375623B1 (ko) * | 2000-10-04 | 2003-03-10 | 엘지전자 주식회사 | 진공 청소기의 팬 구조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0156098B1 (ko) | 1998-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910005483A (ko) | 캐패시터 제조 방법 | |
| KR910017684A (ko) | 메모리 셀 커패시터 제조방법 | |
| KR910005441A (ko) | 실리사이드를 사용한 매설 접촉 형성방법 | |
| KR910017635A (ko) | 메모리 셀 커패시터 제조방법 | |
| KR890002991A (ko) | 씨모오스 반도체장치의 제조방법 | |
| KR960036145A (ko) | 고집적 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970054417A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 | |
| KR920018973A (ko) | 리세스드 채널 모오스 fet 제조방법 및 구조 | |
| KR920003458A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR920003540A (ko) | 측벽을 가지지 않는 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR910005385A (ko) | 대칭적 포물선 정션 형성 방법 | |
| KR910017634A (ko) | 메모리 셀 커패시터 제조방법 | |
| KR920003468A (ko) | 2층의 다결정 실리콘막을 이용한 모스 제조방법 | |
| KR970023885A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR910013426A (ko) | 디램의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR910001930A (ko) | 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법 | |
| KR970053077A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR920007181A (ko) | 앤-모스 ldd트랜지스터의 제조방법 | |
| KR970003964A (ko) | 모스 (mos) 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960035797A (ko) | 반도체 소자의 콘택형성방법 | |
| KR920005373A (ko) | 수직모스 트랜지스터 제조방법 | |
| KR930015081A (ko) | 얕은 접합 모스패트 제조방법 | |
| KR910013260A (ko) | 디램의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR910013510A (ko) | 이중 트랜치 공정에 의한 기억소자의 제조방법 | |
| KR910005306A (ko) | Cvd법을 이용한 새부리 없는 격리 공정방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070622 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |