KR920003458A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920003458A KR920003458A KR1019900010602A KR900010602A KR920003458A KR 920003458 A KR920003458 A KR 920003458A KR 1019900010602 A KR1019900010602 A KR 1019900010602A KR 900010602 A KR900010602 A KR 900010602A KR 920003458 A KR920003458 A KR 920003458A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate
- semiconductor device
- etching
- device manufacturing
- depositing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
- H01L21/784—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명 디바이스 구조의 단면도.
Claims (2)
- 기판위에 게이트 산화막을 성장시키고 메몰 콘택트를 에치한후 폴리실리콘을 디포지션 및 도핑하여 게이트를 형성하는 고정; 상기 게이트를 에치한 후 이온을 주입하고 이어서 CVD산화막을 디포지션하여 에치하므로 게이트 측면에 측벽을 형성하는 공정; 소오스/드레인 영역 형성을 위한 이온주입 및 어닐링을 실시하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 이온은 AS를 1013 ㎝ -2도우스로 50kev에서 주입함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010602A KR930005482B1 (ko) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900010602A KR930005482B1 (ko) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 반도체소자 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920003458A true KR920003458A (ko) | 1992-02-29 |
| KR930005482B1 KR930005482B1 (ko) | 1993-06-22 |
Family
ID=19301199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900010602A KR930005482B1 (ko) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | 반도체소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930005482B1 (ko) |
-
1990
- 1990-07-12 KR KR1019900010602A patent/KR930005482B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930005482B1 (ko) | 1993-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930001483A (ko) | 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터 구조물 및 이의 제조 방법 | |
| KR920022532A (ko) | 이중 수직 채널을 갖는 스태틱램 및 그 제조방법 | |
| KR960026951A (ko) | 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR890001190A (ko) | 반도체 기억소자 및 제조방법 | |
| KR940016938A (ko) | 모스(mos) 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR920003458A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR900001023A (ko) | 트랜치 분리를 이용한 eprom 셀 및 이의 제조방법 | |
| KR970008575A (ko) | 상보형 mos 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR970018259A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR920015565A (ko) | 반도체 셀의 게이트 제조방법 | |
| KR940016927A (ko) | 트렌치(Trench) 구조를 이용한 수직 채널을 갖는 모스트랜지스터(MOS-FET) 제조방법 | |
| KR940022870A (ko) | 플래쉬 이이피롬 및 그 제조방법 | |
| KR930015081A (ko) | 얕은 접합 모스패트 제조방법 | |
| KR940012653A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR910005483A (ko) | 캐패시터 제조 방법 | |
| KR920007234A (ko) | 엔모오스 bldd 제조방법 | |
| KR910017635A (ko) | 메모리 셀 커패시터 제조방법 | |
| KR920013700A (ko) | 소이 구조의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR920005373A (ko) | 수직모스 트랜지스터 제조방법 | |
| KR980005422A (ko) | 반도체장치의 제조방법 및 그 구조 | |
| KR920007185A (ko) | Dmos트랜지스터의 제조방법 | |
| KR920018980A (ko) | P형 채널 mosfet 제조방법 | |
| KR930001480A (ko) | 트랜치 베리드 ldd mosfet의 구조 및 제조 방법 | |
| KR970030917A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR920018973A (ko) | 리세스드 채널 모오스 fet 제조방법 및 구조 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040331 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |