KR980005422A - 반도체장치의 제조방법 및 그 구조 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 및 그 구조 Download PDF

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Abstract

리트로그레이드웰을 갖는 반도체장치의 제조방법 및 그 구조가 개시되어 있다. 제1도 전형의 불순물이 도핑된 반도체기판 상에 게이트절연막 및 게이트전극을 순차적으로 형성한다. 게이트 전극의 측벽에 절연물질로 이루어진 스페이서를 형성한다. 사진공정으로 제1도 전형 또는 그 반대의 제2도 전형의 모스 트랜지스터가 형성될 영역을 오픈시킨다. 오픈된 영역에, 스페이서를 마스크로 이용하여 제1 도 전형 또는 제2도 전형의 제1 불순물로 웰 이온주입을 실시하고, 제1도 전형 또는 제2도 전형의 제2도 전형의 제2 불순물로 소오스/드레인 이온주입을 실시한다. 공정을 단순화하여 공정 시간을 훨씬 감소시키며, 소자에 대한 이온주입의 영향을 확실하게 모니터링할 수 있다.

Description

반도체장치의 제조방법 및 그 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 의한 반도체장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.

Claims (8)

  1. 제1도 전형의 불순물이 도핑된 반도체기판 상에 게이트 절연막 및 게이트전극을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 게이트전극의 측벽에 절연물질로 이루어진 스페이서를 형성하는 단계; 사진공정으로 제1도 전형 또는 그 반대의 제2도 전형의 모스트랜지스터가 형성될 영역을 오픈시키는 단계; 및 상기 오픈된 영역에, 상기 스페이서를 마스크로 이용하여 제1도 전형 또는 제2도 전형의 제1 불순물로 웰 이온주입을 실시하고, 제1도 전형 또는 제2도 전형의 제2 불순물로 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웰 이온주입 및 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 단계에서, 제1도 전형 또는 제2도 전형의 제3 불순물로 필드 이온주입을 실시하고 제1도 전형 또는 제2도 전형의 제4 불순물로 문턱전압 이온주입을 실시하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 웰 이온주입 및 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 단계에서, 제1도 전형 또는 제2도 전형의 제5 불순물로 저농도의 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 저농도의 소오스/드레인 이온주입은 주사각을 8~60°로 하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웰 이온주입에 의해 형성되는 도핑 프로파일은 W자형을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  6. 주표면을 갖는 제1도 전형의 불순물로 도핑된 반도체기판; 상기 제1도 전형 또는 그 반대의 제2도 전형의 불순물로 상기 기판의 소정영역에 도핑된 제1 웰; 및 상기 제1 웰의 주표면에 서로 이격되어 형성된 소오스 및 드레인 영역과, 상기 소오스 및 드레인 영역 사이의 기판상에 게이트절연막을 개재하여 형성된 게이트전극을 구바하며, 상기 제1 웰은 상기 게이트전극의 하부에서는 얕게 형성되고 상기 소오스 및 드레인 영역의 하부에서는 깊게 형성됨으로써, W자형의 도핑 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 구조.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 웰을 제외한 상기 기판에, 상기 제1 웰과는 반대의 도전형의 불순물로 도핑된 제2 웰을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 구조.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 웰은, 상기 제2 웰상에 형성되는 게이트전극의 하부에서는 얕게 형성되고 소오스 및 드레인 영역의 하부에서는 깊게 형성됨으로써, W자형의 도핑 프로파일을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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