KR910017634A - 메모리 셀 커패시터 제조방법 - Google Patents
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- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명 커패시터의 제조공정을 나타낸 단면도.
Claims (1)
- 기판(1)에 N+이온 주입으로 드레인/소오스 영역을 형성하고 필드 옥사이드(2)와 게이트(3)를 형성한 것에 있어서, 폴리실리콘(4)을 디포지션 한후 선택적 에칭을 실시하고 절연층(5), 폴리실리콘(6), 절연층(7)을 디포지션 하며 상기 폴리실리콘(4)(6), 절연층(5)(7)을 선택적으로 에칭한후 폴리실리콘(8)을 디포지션 하고 상기 폴리실리콘(6)(8)을 선택적 에칭한 후 절연층(5)(7)을 제거하며 폴리실리콘(9), 절연층(10), 폴리실리콘(11)을 디포지션 함을 특징으로 하는 메모리 셀 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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- 1990-03-31 KR KR1019900004418A patent/KR0166809B1/ko not_active IP Right Cessation
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