KR970054509A - 박막트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
박막트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970054509A KR970054509A KR1019950062131A KR19950062131A KR970054509A KR 970054509 A KR970054509 A KR 970054509A KR 1019950062131 A KR1019950062131 A KR 1019950062131A KR 19950062131 A KR19950062131 A KR 19950062131A KR 970054509 A KR970054509 A KR 970054509A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- source
- drain
- channel
- gate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서; 소오스/드레인용 폴리실리콘막을 형성하고 채널이 형성될 지역의 상기 폴리실리콘막을 식각 제거하는 단계; 전체구조 상부에 채널용 비정질 실리콘막, 게이트 산화막, 게이트용 전도막을 차례로 형성하는 단계; 게이트 마스크를 사용하여 상기 게이트용 전도막, 상기 게이트 산화막 및 상기 비정질 실리콘막을 식각하여 패터닝하여 단계; 및 노출된 상기 폴리실리콘막 상에 소오스/드레인 마스크를 사용하여 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 소오스/드레인 층과 채널층을 다른 박막으로 하기 때문에 채널은 얇게 형성하고 소오스/드레인은 두껍게 형성할 수 있어, 소오스/드레인간의 시리즈 저항을 낮추므로서써 박막 트랜지스터의 온/오프 전류 비를 향상시켜 소자의 전기적 특성을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터의 제조 공정도.
Claims (2)
- 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서; 소오스/드레인용 폴리실리콘막을 형성하고 채널이 형성될 지역의 상기 폴리실리콘막을 식각 제거하는 단계; 전체구조 상부에 채널용 비정질 실리콘막, 게이트 산화막, 게이트용 전도막을 차례로 형성하는 단계; 게이트 마스크를 사용하여 상기 게이트용 전도막, 상기 게이트 산화막 및 상기 비정질 실리콘막을 식각하여 패터닝하여 단계; 및 노출된 상기 폴리실리콘막 상에 소오스/드레인 이온주입을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인용 폴리실리콘막은 상기 비정질 폴리실리콘막보다 상대적으로 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950062131A KR970054509A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 박막트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950062131A KR970054509A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 박막트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054509A true KR970054509A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66621762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950062131A KR970054509A (ko) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 박막트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054509A (ko) |
-
1995
- 1995-12-28 KR KR1019950062131A patent/KR970054509A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960012564A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 | |
| KR960024604A (ko) | 이중 채널 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970054509A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054510A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054492A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR950012645A (ko) | 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970054512A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960043290A (ko) | 이중 게이트 전극 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970030917A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960035897A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970053596A (ko) | 박막트랜지터 및 그 제조 방법 | |
| KR960036142A (ko) | 박막트랜지스터 구조 및 제조방법 | |
| KR940008132A (ko) | 접합 캐패시턴스를 줄이는 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR950030385A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054258A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR920015592A (ko) | Ldd구조의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970013121A (ko) | 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR940027199A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960005885A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970030905A (ko) | 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970013120A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR950024331A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970054191A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR960035918A (ko) | 반도체 소자의 얕은 접합 형성방법 | |
| KR910017634A (ko) | 메모리 셀 커패시터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |