KR970054258A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 제조방법 개시된다.
본 발명은 반도체 기판상에 형성된 산화막의 일부분에 돌출부를 형성하고, 돌출부에 게이트 채널이 형성되게 하고, 스페이서 산화막을 이용하여 LDD 구조의 박막트랜지스터를 제조한다.
따라서, 본 발명은 게이트 채널영역이 산화막의 돌출부만큼 더 길게 형성할 수 있어 박막트랜지스터의 고집적화를 실현할 수 있게하며, 같은 면적에 형성되는 일반적인 박막트랜지스터에 비하여 전기적 특성이 더 우수하며, 또한 LDD 구조의 박막트랜지스터를 제조함에 의해 트랜지스터의 온/오프(on/off)비를 크게 증대시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1E도는 본 발명의 실시예를 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 박막트랜지스터 제조방법에 있어서, 산화막이 형성된 반도체 기판이 제공되는 단계; 상기 산화막상에 포토레지스트 패턴이 형성되는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 한 식각공정으로 노출된 부분의 상기 산화막이 일정두께 잔류되도록 식각하므로, 이로인하여 상기 산화막의 일부분에 돌출부가 형성되는 단계; 상기 돌출부가 형성된 산화막상에 폴리실리콘박막이 형성되는 단계; 상기 폴리실리콘박막상에 게이트 산화막이 형성되는 단계; 상기 돌출부가 완전히 덮히도록 상기 게이트 산화막상에 게이트 전극이 형성되는 단계; 및 상기 게이트 전극을 이온주입 마스크로하여 LDD 이온주입공정이 실시되고, 상기 게이트 전극의 양측에 스페이서 산화막을 형성한 후, 소오스/드레인 이온주입공정이 실시되고, 열처리공정이 실시되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 4000 내지 7000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 산화막이 잔류된 부분의 두께는 2000 내지 3000Å의 두께인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047331A KR970054258A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047331A KR970054258A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054258A true KR970054258A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950047331A KR970054258A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 박막트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054258A (ko) |
-
1995
- 1995-12-07 KR KR1019950047331A patent/KR970054258A/ko not_active Application Discontinuation
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