KR940010271A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents

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KR940010271A
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박상호
구영모
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

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Abstract

본 발명은 고집적반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, LDD영역을 갖는 MOSFET를 형성하기 위하여 게이트 전극을 형성한 다음, 기판에 LDD영역을 형성하고, 게이트 전극 상부 및 측면에 스페서어용 감장막 패턴을 형성한후 고농도 불순물을 기판으로 이온주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 및 제5도는 본 발명에 의해 LDD구조를 갖는 MOSFET 제조단계를 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. LDD구조를 갖는 MOSFET제조방법에 있어서, 기판 상부에 게이트 산화막, 게이트 전극을 형성한 후 저농도 불순물을 기판으로 이온주입하여 LDD영역을 형성하는 단계와, 노출된 기판과 게이트 전극의 표면에 얇은 산화막을 형성하고, 전체 구조상부에 감광막을 도포하는 단계와, 게이트 전극의 선폭보다 조금 넓게 패턴이 형성된 마스크를 사용하여 스페서용 감광막 패턴을 형성하고, 고농도 불순물을 기판으로 이온주입하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스페서용 감광막 패턴을 형성한 후 주변회로에 임플란트 마스크용 감광막 패턴을 형성하기 위해 스페이서용 감광막 패턴을 경화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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