KR960002795A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 고집적 반도체소자의 모스펫을 제조시 얇은 박막의 게이트전극으로 형성할 경우 소오스/드레인전극을 형성하기 위하여 불순물을 주입할때 채널영역으로 불순물이 주입되는 것을 방지할 수 있도록 하기 위하여 게이트전극용 폴리실리콘층의 일정두께를 낮은 에너지로 불순물을 이온주입하여 비정질 실리콘층으로 형성하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래기술에 의해 제조된 모스펫(MOSFET)을 도시한 단면도,
제2A 및 제2B도는 본 발명에 의해 제조된 모스펫을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체소자의 제조방법에 있어서, 실리콘기판상에 게이트산화막과, 게이트전극용 폴리실리콘층을 증착하는 단계와, 상기 폴리실리콘층에 불순물을 낮은 에너지로 주입하여 폴리실리콘층의 일정두께를 비정질실리콘층으로 형성하는 단계와, 게이트전극 마스크를 이용하여 상기 비정질실리콘층과 폴리실리콘층을 식각하여 게이트전극을 형성하는 단계와, 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물을 실리콘 또는 비소인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층은 게이트전극의 20-30%가 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 폴리실리콘층에 불순물을 주입할 때 10-30KeV의 에너지로 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013727A KR960002795A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013727A KR960002795A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002795A true KR960002795A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013727A KR960002795A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002795A (ko) |
-
1994
- 1994-06-17 KR KR1019940013727A patent/KR960002795A/ko not_active Application Discontinuation
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