KR960036098A - 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960036098A KR960036098A KR1019950006369A KR19950006369A KR960036098A KR 960036098 A KR960036098 A KR 960036098A KR 1019950006369 A KR1019950006369 A KR 1019950006369A KR 19950006369 A KR19950006369 A KR 19950006369A KR 960036098 A KR960036098 A KR 960036098A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- doped drain
- film transistor
- low doped
- low
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
1.청구범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야.
고집적 박막 트랜지스터 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제.
저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조시, 저도핑 드레인 영역 형성을 위해 공정이 비교적 어려운 스페이서 산화막을 이용하거나 2단계의 마스킹 공정을 이용하기 때문에 공정이 복잡하고, 저도핑 드레인 영역과 게이트 전극이 플래이너형으로 배치되므로 고집적화를 위한 영역 축소가 용이하지 않다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지.
측벽 스페이서에 도핑된 불순물을 채널 영역에 확산시켜 저도핑 드레인 영역을 형성하므로써, 제조 공정이 간단하고 고집적화가 용이한 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터를 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법에 따른 공정도.
Claims (1)
- 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 게이트 전극을 형성하고 게이트 산화막과 소스/드레인용 폴리실리콘을 차례로 증착한 후, 소스/드레인 영역을 오픈시킨 포토레지스트 마스크 패턴을 형성하고 이온 주입을 실시하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고 어닐링을 실시한 후, 스페이서용 플로실리콘을 증착하고 도핑을 실시하는 단계 및 상기스페이서용 폴리실리콘을 블랭킷 식각하여 측벽 스페이서를 형성하고 어닐링 공정을 실시하여 상기 측벽 스페이서에 도핑된 이온을 확산시켜 저도핑 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 저도핑 드레인 구조의 박막트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006369A KR960036098A (ko) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006369A KR960036098A (ko) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960036098A true KR960036098A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66553154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006369A KR960036098A (ko) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960036098A (ko) |
-
1995
- 1995-03-24 KR KR1019950006369A patent/KR960036098A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940022874A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960036098A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960043290A (ko) | 이중 게이트 전극 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR960035905A (ko) | 드레인 오프셋 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054501A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR940012653A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960043251A (ko) | 저도핑 드레인(ldd) 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970052835A (ko) | 코발트 실리사이드막을 이용한 트랜지스터 형성방법 | |
| KR960035926A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960035902A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054257A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970030917A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970013120A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR960036145A (ko) | 고집적 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970053077A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR970054398A (ko) | 모스트랜지스터 제조 방법 | |
| KR950012645A (ko) | 반도체 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960035903A (ko) | 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960035915A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR930015081A (ko) | 얕은 접합 모스패트 제조방법 | |
| KR960039218A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR960002795A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR960035904A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960035906A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960026480A (ko) | 고집적 모스(mos) 트랜지스터 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |