KR960035915A - 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 관하여 개시된다.
본 발명은 소오스/드레인 형성용 폴리실리콘막과 회생 산화막을 이용하여 게이트 전극을 “T”자형으로 형성하고, 이 구조에서 소오스/드레인 불순물 이온주입공정을 실시하여 두께차이에 의해 LDD구조를 갖는 소오스/드레인 영역을 형성한다. 또한 접촉저항을 낮추기 위해서 상기 구조에서 실리사이데이션 공정을 실시하여 실리사이트막을 게이트 전극, 소오스 및 드레인 영역에 형성한다.
따라서, 스페이서 형성없이 실리사이드막을 형성 할 수 있고, 에칭공정에 의한 액티브영역 손실이 방지되어 생산성이 향상되고, 폴리실리콘의 저항값이 감소되어 우수한 동작특성을 갖는 트랜지스터를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2A 내지 2D 도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 트랜지스터를 제조하는 방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 있어서, 실리콘 기판상에 언도프트 폴리실리콘막 및 회생 산화막을 순차적으로 형성하는 단계와, 게이트 콘택 마스크를 사용한 리소그라피공정 및 식각공정으로 상기회생 산화막과 상기 언도포트 폴리실리콘막을 순차적으로 식각하여 게이트 콘택부를 형성하는 단계와, 상기 게이트 콘택부를 포함한 상기 회생 산화막상에 게이트 산화막을 형성하고, 상기 게이트 콘택부와 언도프트 폴리실리콘막의 일부분에 걸쳐서는 “T”자형 게이트 전극을 상기 게이트 산화막상에 형성하는 단계와, 소오스/드레인 불순물 이온주입공정을 실시하므로, 이로인하여 상기 언도프트 폴리실리콘막은 도프트 폴리실리콘막으로 되고, 상기 도프트 폴리실리콘막을 통해 불순물 이온이 상기 실리콘 기판에 주입되도록 하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 상기 도프트 폴리실리콘막상에 티타늄을 증착한 후 열처리 공정 실시하고, 이후 미반응된 티타늄막을 제거하여 티타늄실리사이드막을 형성함과 동시에 LDD영역 및 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006096A KR960035915A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006096A KR960035915A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035915A true KR960035915A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66553541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006096A KR960035915A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035915A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100957877B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-05-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-03-22 KR KR1019950006096A patent/KR960035915A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100957877B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-05-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US7919404B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-04-05 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device including forming a t-shape gate electrode |
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