KR980700683A - 비대칭 약간 도프된 드레인 (ldd) mos 소자의 제조방법 (method for fabricating asymmetrical ldd mos devices) - Google Patents

비대칭 약간 도프된 드레인 (ldd) mos 소자의 제조방법 (method for fabricating asymmetrical ldd mos devices) Download PDF

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Abstract

진-LDD MOS 트랜지스터를 제조하는 방법이 기술된다. 상기 제조 방법은 반도체 기판상에 LDD 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 마스크는 게이트 구조에 정렬되고, 드레인 영역을 커버하도록 연장되며, 약간 도프된 이온 이식제는 게이트 구조와 자기-정렬되는 드레인 영역내에서, 실행되며, LDD 포토레지스트 마스크는 제거된다. 스페이서는 그때 게이트 구조의 드레인측 및 소스측상에 형성되고, 상당히 도프된 이온 이식제는 게이트 구조 및 스페이서와 자기-정렬되는 드레인 영역 및 소스 영역을 도프하는 데에 사용된다.

Description

비대칭 약간 도프된 드레인 (LDD) MOS 소자의 제조 방법 (METHOD FOR FABRICATING ASYMMETRICAL LDD MOS DEVICES)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (14)

  1. 반도체 기판의 트랜지스터 영역, 트린지스터 영역을 오버레이한 게이트 구조, 제1측상에서 게이트 구조를 플랭크한 트랜지스터 영역의 소스 영역 및, 제1측에 대향한 제2측에 게이트 구조를 플랭크한 트랜지스터 영역의 드레인 영역을 포함하는 트랜지스터 구조내의 진(true)-LDD MOS 트랜지스터 제조방법에 있어서, 반도체 기판상에 LDD 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계로서, 상기 마스크는 게이트 구조에 정렬된 경계면을 가지고, 드레인 영역을 커버하도록 연장하는 상기 마스크층 형성단계, 게이트 구조와 자기-정렬된 드레인 영역내에 약간 도프된 이은 이식제를 이삭하는 단계, LDD 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계, 게이트 구조의 소스상측의 스페이서 및, 게이트 구조의 드레인측상의 스페이스를 형성하는 단계와, 게이트 구조 및 스페이서와 자기-정렬되는 소스 영역 및 드레인 영역내에 상당히 도프된 이온 이식제를 이식하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 진 -LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 반도체 기판상에 소스-온리 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계로서, 상기 마스크는 게이트 구조에 정렬된 경계면을 가지고, 소스 영역을 커버하도록 연장하는 상기 마스크층 형성 단계, 게이트 구조와 자기-정렬되는 소스영역내에 상당히 도프된 이온 이식제를 이식하는 단계와, 소스-온리 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 소스-온리 포토레지스트 마스크층을 형성하고, 소스 영역내에 상당히 도프된 이온을 이식하며, 그리고 소스-온리 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계는 LDD 포토레지스트 마스크 제거 단계 다음과, 스페이서 형성 단계에 앞서 실행되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 게이트 구조는 폴리실리콘으로 부터 형성되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 스페이서는 실리콘 이산화물과 같은 산화물로 부터 형성되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 스페이서는 실리콘 질화물과 같은 질화물로 부터 형성되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 스페이서는 폴리실리콘으로 부터 형성되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  8. 제1도전형의 트랜지스터 및, 제1도전형에 대향한 제2도전형의 트랜지스터를 포함하는 다수의 진-LDD CMOS 트랜지스터를 제조하는 방법으로써, 각 트랜지스터는 반도체 기판의 트랜지스터 영역, 트랜지스터 영역을 오버레이한 게이트 구조, 제 측상에 게이트 구조를 플랭크한 트랜지스터 영역의 소스 영역 및, 제1측에 대향한 제2측에 게이트 구조를 플랭크한 트랜지스터 영역의 드레인 영역을 포함하는 토랜지스터 구조내에 형성되는 다수의 진-LDD CMOS 토랜지스터 제조 방법에 있어서, 반도체 기판상에 제1도전형 LDD 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계로서, 상기 마스크는 제1도전형 트랜지스터의 게이트 구조에 정렬된 경계면을 가지고, 제1도전형 트랜지스터의 드레인 영역을 커버하고, 제 2도전형 트랜지스터의 전체 트랜지스터 영역을 커버하도록 연장하는 상기 마스크층 형성 단계, 게이트 구조와 자기-정렬되는 제1도전형 트랜지스터 드레인 영역내에 약간 도프된 이은 이식제를 이식하는 단계, 제1도전형 LDD 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계, 반도체 기판상에 제2도전형 LDD 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계로서, 상기 마스크는 제2도전형 트랜지스터의 게이트 구조에 정렬된 경계면을 가지고, 제2도전형 트랜지스터의 드레인 영역을 커버하고, 제1도전형 트랜지스터의 전체 트랜지스터 영역을 커버하도록 연장하는 상기 마스크층 형성단계, 게이트 구조와 자기-정렬되는 제2도전형 트랜지스터 드레인 영역내에 약간 도프된 이온 이식제를 이식하는 단계, 제2도전형 LDD 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계, 게이트 구조의 소스측상의 스페이서 및, 게이트 구조의 드레인측상의 스페이서를 형성하는 단계, 반도체 기판상에 제1도전형 소스/드레인 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계로서, 상기 마스크는 제2도전형 트랜지스터의 전체 트랜지스터 영역을 커버하도록 연장하는 상기 마스크층 형성 단계, 게이트 구조 및 스페이서와 자기-정렬되는 제1도전형 소스 및 드레인 영역내에 제1도전형의 상당히 도프된 이온 이식제를 이식하는 단계, 반도체 기판상에 제2도전형 소스/드레인 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계로서, 상기 마스크는 제1도전형 트랜지스터의 전체 트랜지스터 영역을 커버하도록 연장하는 상기 마스크층 형성 단계와, 게이트 구조 및 스페이서와 자기-정렬되는 제2도전형 소스 및 드레인 영역내에 제2도전형의 상당히 도프된 이온 이식제를 이식하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다수의 진-LDD CMOS 트랜지스터 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 반도체 기판상에 제1도전형의 소스-온리 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계로서, 상기 마스크는 제1도전형 트랜지스터의 게이트 구조에 정렬된 경계면을 가지고, 제1도전형 트랜지스터의 소스 영역을 커버하고, 제2도전형 트랜지스터의 전체 트랜지스터 영역을 커버하도록 연장하는 상기 마스크층 형성단계, 게이트 구조와 자기-정렬되는 제1도전형 트랜지스터 소스 영역내에 상당히 도프된 이온 이식제를 이식하는 단계, 소스-온리 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계와, 반도체 기판상에 제2도전형의 소스-온리 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계로서, 상기 마스크는 제2도전형 트랜지스터의 게이트 구조에 정렬된 경계면을 가지고, 제2도전형 트랜지스터의 소스 영역을 커버하고, 제1도전형 트랜지스터의 전체 트랜지스터 영역을 커버하도록 연장하는 상기 마스크층 형성 단계, 게이트 구조와 자기-정렬되는 제2도전형 트랜지스터 소스 영역내에 상당히 도프된 이온 이식제를 이식하는 단계와, 소스-온리 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다수의 진-LDD CMOS 트랜지스터 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 소스-온리 포토레지스트 마스크층을 형성하고, 소스 영역내에 상당히 도프된 이온을 이식하며, 그리고 소스-온리 포토레지스트 마스크를 제거하는 단계는 LDD 포토레지스트 마스크 제거 단계 다음과, 스페이서 형성 단계에 앞서 실행되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS트랜지스터 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 게이트 구조는 폴리실리콘으로 부터 형성되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  12. 제8항에 있어서, 스페이서는 실리콘 이산화물과 같은 산화물로 부터 형성되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 스페이서는 실리콘 질화물과 같은 질화물로 부터 형성되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 스페이서는 폴리실리콘으로 부터 형성되는 것을 특징으로 하는 진-LDD MOS 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970703986A 1994-12-15 1995-11-22 비대칭약간도프된드레인(lcd)mos소자의제조방법 KR100392901B1 (ko)

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