KR950021786A - 모스펫(mosfet) 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 모스펫(M0SFET) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 집적도가 높아짐에 ㄸ라 감소하는 채널길이가 작아져 발생되는 문재를 해결하기 위하여 실리콘 기판에 돌출부를 제조한 다음, 돌출부가 감싸지도록 게이트 산화막과 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극 양측 가장자리 저부의 실리콘 기판에 LDD영역 및 소오스/드레인 영역을 각각 형성하는 기술이다.

Description

모스펫(MOSFET) 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 기술로 모스펫(MOSFET)을 제조한 단면도.
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 의해 채널길이가 증대된 모스펫을 제조하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체 기판 상부에 제1산화막을 형성하고, 그 상부에 감광막 패턴을 형성하고, 노출된 제1산화막과 그 하부의 반도체기판의 일정두께를 식각하여 돌출된 형태의 반도체 기판을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴과 제1산화막을 제거하고, 전체적으로 게이트 산화막과 폴리실리콘층을 적층하는 단계와, 게이트 전극 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 폴리실리콘층의 일정부분을 제거하여 돌출부의 반도체 기판을 둘러싼 게이트전극용 폴리실리콘 패턴을 형성하는 단계와, 저농도불순물을 반도체 기판으로 이온주입하여 LDD영역을 형성하는 단계와, 상기 폴리실리콘패턴 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 고농도 불순물을 반도체 기판으로 이온주입하여 소오스/드레인영역을 형성하는 단계를 포함하는 모스펫 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저농도 불순물을 이온주입할 때 실리콘기판에 대해 경사지게 주입하는 것을 특징으로 하는 모스펫 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트산화막을 형성하기 전에 반도체 기판으로 문턱전압 조절용 불순물을 이온주입하는 것을 특징으로 하는 모스펫 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인영역을 형성한 다음, 전체 구조 상부에 전이금속막과 제2산화막을 적층한 후, 열처리 공정으로 상기 폴리실리콘 패턴과 소오스/드레인영역 상부에 실리사이드를 형성하고, 남아 있는 전이금속막은 산화시켜 전이금속 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 모스펫 제조방법.
  5. 반도체 기판의 소정부분이 돌출된 구조로 형성되고, 상기 돌출된 구조의 반도체 기판을 둘러 쌓이도록 게이트 산화막과 게이트전극용 폴리실리콘 패턴이 구비되고, 상기 게이트 전극용 폴리실리콘 패턴양측 가장자리하부의 반도체 기판에 LDD 영역과 소오스/드레인영역이 구비되는 것을 특징으로 하는 모스펫.
  6. 5항에 있어서, 상기 폴리실리콘 패턴 상부와 소오스/드레인영역 상부에 실리사이드가 구비되는 것을 특징으로 하는 모스펫.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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