KR950024330A - 모스펫(mosfet) 제조방법 - Google Patents
모스펫(mosfet) 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 모스펫(MOSFET) 제조방법에 관한 것으로, 집적도가 높아짐에 따라 감소하는 채널길이가 작아져 발생되는 문제를 해결하기 위하여 반도체 기판에 돌출부를 제조한 다음, 돌출부가 감싸지도록 게이트 산화막과 케이트 전극을 형성하고, 반도체 기판에 LDD영역 및 소오스/드레인 영역을 각각 형성하고 상기 게이트 전극과 상기 게이트 전극에 실리사이드를 형성하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 의해 채널길이가 증대된 모스펫을 제조하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (5)
- 반도체 기판 상부에 제1열산화막을 형성하고, 그 상부에 감광막 패턴을형성하고, 노출된 제1산화막과 그 하부의 반도체기판의 일정두께를 식각하여 돌출된 형태의 반도체 기판을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴을 제거하고, 전체적으로 제2산화막을 형성하고 저농도 불순물을 이온주입하여 LDD영역을 형성하는 단계와, 습식식각으로 상기 제1 및 제2 열산화막을 제거한 다음, 전체구조 상부에 게이트산화막과 게이트전극용 폴리실리콘층을 적층하고, 게이트전극 마스크를 이용하여 식각공정으로 돌출부의 반도체기판을 감싸는 게이트전극용 폴리실리콘층 패턴을 형성하는 단계와, 게이트전극용 폴리실리콘층 패턴의 측벽에 스페이서 산화막을 형성한후, 고농도 불순물을 반도체 기판 으로 주입하고 고온의 어닐링 공정을 실시하여 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 전이 금속을 증착하고 고온 열처리 함으로써 상기 게이트전극용 폴리실리콘층 패턴 상부와 상기 소오스/드레인 영역 상부에 실리사이드를 형성하고 실리사이드가 형성되지 않은 전이금속은 제거하는 단계와, 습식식각으로 상기 스페이서 산화막과 스페이서 산화막 하부의 케이트 산화막을 제거하고 전체구조 상부에 제3열산화막을 형성한다음, 포켓이온주입영역을 형성하는 단계를 포함하는 모스펫 재조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저농도 불순물을 이온주입할때 반도체 기판의 수직선위 7도 이내로 경사지게 주입하는 것을 특징으로 하는 모스펫 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1열산화막은 1000-1500Å 두께의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 모스펫 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2열산화막은 100-500Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 모스펫 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포켓이온주입영역은 농도가 1E11-1E17원자/㎠인 붕소(B)를 50-200KeV의 에너지를 가지고 이온주입 시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 모스펫 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940000971A KR950024330A (ko) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 모스펫(mosfet) 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940000971A KR950024330A (ko) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 모스펫(mosfet) 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950024330A true KR950024330A (ko) | 1995-08-21 |
Family
ID=66663451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940000971A KR950024330A (ko) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 모스펫(mosfet) 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950024330A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504546B1 (ko) * | 2000-07-24 | 2005-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1994
- 1994-01-19 KR KR1019940000971A patent/KR950024330A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504546B1 (ko) * | 2000-07-24 | 2005-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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