KR100236063B1 - 게이트 다결정 실리콘의 식각방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 게이트 다결정 실리콘의 식각방법에 관한 것으로서, 특히 게이트 다결정 실리콘이 산화막의 사이드웰에 의하여 다른 전극과 분리될 때 누설전류를 최대한 줄일수 있도록 하기 위해 게이트 다결정 실리콘을 건식식각으로 정의하기 전에 습식식각으로 게이트 다결정 실리콘의 윗쪽 모서리를 식각하여 게이트와 이웃 전극간의 거리를 증가시기도록 한 게이트 다결정 실리콘의 식각 방법에 관한 것이다.

Description

게이트 다결정 실리콘의 식각 방법

제1도(a)∼(c)는 종래의 게이트 다결정 실리콘의 식각 공정도

제2도(a)∼(c)는 본 발명에 따른 게이트 다결정 실리콘의 식각 공정도

제3도는 종래 방법에 의해 제조된 게이트 다결정 실리콘의 구조도

제4도는 본 발명에 의해 제조된 게이트 다결정 실리콘의 구조도

* 도면의 주요부분에 대한 부호설명

1 : 기판 2 : 필드 산화막

3 : 게이트 산화막 4 : 다결정 실리콘

5 : 산화막 6 : 사이드웰

7 : 산화막 8 : 전극

본 발명은 게이트 다결정 실리콘의 식각 방법에 관한 것으로, 특히 게이트 다결정 실리콘이 산화막의 사이드웰(Side Wall)에 의하여 다른 전극과 분리될 때 누설전류를 최대한 줄이기 위한 다결정 실리콘 식각 방법에 관한 것이다.

종래의 다결정 실리콘 식각 공정을 제1도(a)∼(c)를 참조하여 설명하면, 먼저 제1도(a)에서와 같이 기판(1)위에 웰과 필드 산화막(2)을 형성시킨 후 게이트 산화막(3)을 형성시키고 다결정 실리콘(4)과 산화막(5)을 차례로 증착시킨다.

그 다음 제1도(b)와 같이 마스크를 사용하여 산화막(5)/다결정 실리콘(4)/게이트 산화막(3)을 정의하고, 그 다음 제1도(c)에서와 같이 산화막을 이용하여 사이드웰(6)을 형성시킨다.

제3도는 상기와 같은 방법에 의하여 제조된 다결정 실리콘의 한쪽 끝을 보여주는데 게이트 다결정 실리콘(4)과 바로 이웃하는 전극과의 거리가 d'만큼 떨어져 게이트와 이웃 전극간에 누설전류가 존재할 가능성이 매우높다.

즉, 종래에는 제3도에 도시된 바와같이 게이트와 통하여 거리 d'만큼 떨어져 있음으로써 누설 전류가 흐를 가능성이 매우 높으며 이를 막기 위하여 제조과정에서 세심한 주의가 요망되는 단점이 있었다.

본 발명은 이러한 단점을 해결하기 위한 것으로 상세히 설명하면 다음과 같다.

먼저 제2도(a)에서와 같이 기판(1)위에 필드 산화막(2)을 형성시킨 후 게이트 산화막(3), 다결정 실리콘(4), 산화막(5)을 차례로 증착시킨다. 그다음 제2도 (b)에서와 같이 마스크를 사용하여 맨윗층의 산화막(5)을 정의한후, 제 2도(C)에서와 같이 맨윗층의 산화막(5)을 마스크로 사용하여 다결정 실리콘(4)을 적당한 두께까지 습식식각을 실시한다.

그다음 제2도(d)에서와 같이 맨윗층의 산화막(5)을 마스크로 사용하여 건식각법을 다결정 실리콘(4)과 게이트 산화막(3)을 정의한다. 그다음 제2도(e)와 같이 기판(1)에 약간의 산화막(7)을 형성시킨후 LDD(Lightly Doped Drain)구조의 낮은 농도(n-)에 해당하는 이온 주입을 실시한 후 제2도(f)에서와 같이 산화막을 이용하여 사이드웰(6)을 형성시키고 그다음 LDD구조의 높은 농도(n+)에 해당하는 이온주입을 실시한다.

그다음 제2도(g)에서와 같이 소오스(Source)와 드레인(Drain)지역에 전극(8)을 형성시킨다.

제4도는 본 발명에 의하여 제조된 게이트 다결정 실리콘의 한쪽 끝을 보여주는 것으로서 게이트 다결정 실리콘의 윗쪽 끝을 보여주는 것으로서 게이트 다결정 실리콘의 윗쪽 모서리 부근이 식각되어 게이트와 이웃 전극간의 거리인 "d"가 종래 방법에 의하여 제조되었을 때의 거리 d'보다 훨씬 크게 된다.

즉, 본 발명은 게이트 다결정 실리콘의 윗쪽 모서리 부근이 식각되어 게이트와 이웃 전극간에 거리를 증가시킴으로써 게이트와 이웃 전극간에 누설 전류를 줄이고 공정상에 여유를 가질 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 게이트 다결정 실리콘을 식각함에 있어서, 게이트 다결정 실리콘을 건식식각으로 정의하기 전에 습식식각으로 게이트 다결정 실리콘의 윗쪽 모서리를 식각하여 게이트와 이웃 전극간의 거리를 증가시키는 것을 특징으로 하는 게이트 다결정 실리콘의 식각방법.