KR960005998A - 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 게이트 전극과 게이트 산화막을 단차지게 형성하므로써, 반도체 소자가 고집적화 및 소형화되어감에 따라 드레인 영역의 게이트 전극 가장자리부분에서 수직전계(Vertical electric field)가 증가하여 핫 캐리어(hot carrier)효과가 발생되는 것을 감소시켜 반도체 소자의 전기적 특성을 안정화시키는 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 MOSFET 단면도,
제2A도 및 제2B도는 게이트 산화막을 문제점을 설명하기 위한 소자의 단면도,
제3도는 본 발명에 의한 MOSFET 단면도,
제4A도 내지 제4G도는 제3도의 MOSFET를 제조하는 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 단차구조를 갖는 실리콘 기판(11)과, 상기 실리콘 기판(11)의 단차부분에서 기울기를 갖는 게이트 산화막(13) 및 게이트 전극(14)과, 상기 게이트 전극(14) 측면에 형성되는 스페이서 절연막(15) 및, 상기 게이트 전극(14) 양측의 실리콘 기판(11)에 형성된 소오스 및 드레인 영역(16A 및 16B)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서 절연막(15)은 제1TEOS막(15A), 언도프 포리실리콘충(15B) 및 제2TEOS막(15C)의 적충구조로 된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 반도체 소자의 제조방법에 임ㅆ어서, 필드산화막(12)이 형성된 실리콘 기판(11)상에 희생 산화막(21) 및 실리콘 질화막(22)을 순차적ㅇ로 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 실리콘 질화막(22)상에 감광막(23)을 도포한 후 게이트 전극이 형성된 위치의 중앙부분에 일치되도록 상기 감광막(23)을 패턴화하고, 사이 패턴화된 감광막(23)을 이용하여 노출된 부위의 실리콘 질화막(22)을 식각하는 단계롸, 상기 단게로부터 패턴화된 감광막(23)을 제거한 후 산화공정을 통하여 노출된 부분의 실리콘 기판(11)을 고정깊이 산화시켜 산화막(24)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 실리콘 질화막(22)을 식각한 후 활성영역(A)에 형성된 산화막(24)을 제거하는 활성영역(A)의 실리콘 기판(11) 표면이 단차지게 하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조 상부에 게이트 산화막(13)을 형성한 후 게이트 전극용 폴리실리콘을 증착하고, 게이트 전극 마스크를 사용하여 상기 폴리실리콘을 식각하여 실리콘 기판(11)의 단차된 부위를 중심으로 게이트 전극(14)을 형성하고, 저농도의 불순물 이온을 주입하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조 상부에 제1TEOS막(15A), 언도프 폴리실리콘층(15B) 및 제2TEOS막(15C)을 순차적으로 형성한 후 플라즈마 식각에 의하여 게이트 전극(14) 측면에 제1TEOS막(15A), 언도프 폴리실리콘층(15B) 및 제2TEOS막(15C)의 적층구조로 된 스페이서 절연막(15)을 형성하고, 고농도의 불순물 이온을 주입하여 소오스 영역(16A) 및 드레인 영역(16B)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100971891B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2010-07-22 | 한국철도공사 | 윤축프레스의 윤축이송장치 |
KR101037756B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2011-05-27 | 현대중공업 주식회사 | 진동 감쇄를 위한 보강프레임 |
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1994
- 1994-07-06 KR KR1019940016082A patent/KR0131992B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR101037756B1 (ko) * | 2007-10-17 | 2011-05-27 | 현대중공업 주식회사 | 진동 감쇄를 위한 보강프레임 |
KR100971891B1 (ko) * | 2008-08-20 | 2010-07-22 | 한국철도공사 | 윤축프레스의 윤축이송장치 |
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