KR970023885A - 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 모스 전계 효과 트랜지스터에 관한 것으로, 반도체 기판의 상부에 산화막을 증착한 후 식각하여 홈을 형성하고, 그 상부에 질화막을 증착한 후 식각하여 질화막 스페이서를 형성하고, 그 상부에 폴리실리콘층을 증착한 후 식각하여 게이트를 형성하므로써, 미세한 선폭을 갖는 게이트를 형성하는 것이다.

Description

모스 전계 효과 트랜지스터의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도 내지 제6도는 본 발명의 실시예에 따라 MOSFET를 제조하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (6)

1. 반도체기판에 제1절연막과 제2절연막을 적층하는 단계와, 게이트가 형성될 부분의 제2절연막을 식각하여 홈을 형성하는 단계와, 상기 홈의 측벽에 제3절연막 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 홈 저부의 제1절연막을 식각하여 반도체 기판을 노출시키는 단계와, 상기 홈 저부의 반도체기판에 게이트산화막을 형성하는 단계와, 상기 홈에 폴리실리콘을 매립하여 미세선폭을 갖는 게이트를 형성하는 단계와, 상기 제2절연막을 제거하는 단계와, 반도체기판으로 불순물을 주입하여 소오스/드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막은 식각선택비가 다른 물질인 것을 특징으로하는 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 TEOS 산화막이고, 제2절연막은PSG 산화막인 것을 특징으로 하는 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 홈은 제2절연막 상부에 네가티브 감광막을 도포하고, 게이트 마스크를 이용한 노광 및 현상공정으로 감광막패턴을 형성 하고, 이 감광막패턴을 마스크로 노출된 제2절연막을 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 제3절연막 스페이서는 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인을 형성하기 전에 저농도 불순물을 경사이온주입시켜 저농도 이온주입영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.