KR960002793A - 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR960002793A KR1019940013448A KR19940013448A KR960002793A KR 960002793 A KR960002793 A KR 960002793A KR 1019940013448 A KR1019940013448 A KR 1019940013448A KR 19940013448 A KR19940013448 A KR 19940013448A KR 960002793 A KR960002793 A KR 960002793A
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황현상
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문정환
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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스의 트랜지스터에 관한 것으로서, 특히 게이트영역을 리세스시켜서 쇼트채널특성을 개선하여 신뢰성을 향상시킨 트랜지스터의 제조에 적합하도록 한 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 트랜지스터제조방법은 반도체소자제조공정 중 트랜지스터 제조방법에 있어서, 가) 반도체기판에 질화막을 증착한 후, 질화막의 일부를 식각하여 질화막마스크를 형성하고, 질화막마스크를 이용하여 반도체기판을 식각하여 제1홀을 형성하는 단계와, 나) 상기 제1홀의 저부에 노출한 반도체기판의 게이트를 형성할 중앙 부위만이 남도록 제1홀의 측벽에 사이드월을 형성하고 사이드월을 이용하여서 반도체기판을 소정의 깊이로 식각하여 제2홀을 형성하고 그 하부의 기판내에 이온층을 형성하는 단계와, 다) 산화공정으로 게이트산화막을 형성하고 그 위에 폴리실리콘을 증착한 후, 에치백하여 제2홀 상부에만 일정높이로 잔류시켜서 게이트전극을 형성하는 단계와, 라) 질화막 및 사이드월을 제거하여 게이트전극 주변에 홈을 형성하는 단계와, 마) 제1홀 하부에 n-영역을 형성하고 상기 홈에 절연막을 증착 및 에치백하여 게이트 사이드월을 형성하고, 사이드월 주변에 n+영역을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래방법의 주요공정도이고,
제2도는 본 발명의 주요공정도이다.

Claims (10)

  1. 반도체소자제조공정 중 트랜지스터 제조방법에 있어서, 가) 반도체기판에 질화막을 증착한 후, 질화막의 일부를 식각하여 질화막마스크를 형성하고, 질화막마스크를 이용하여 반도체기판을 식각하여 제1홀을 형성하는 단계와, 나) 상기 제1홀의 저부에 노출한 반도체기판의 게이트를 형성할 중앙 부위만이 남도록 제1홀의 측벽에 사이드월을 형성하고 사이드월을 이용하여서 반도체기판을 소정의 깊이로 식각하여 제2홀을 형성하고 그 하부의 기판내에 이온층을 형성하는 단계와, 다) 산화공정으로 게이트산화막을 형성하고 그 위에 폴리실리콘을 증착한 후, 에치백하여 제2홀 상부에만 일정높이로 잔류시켜서 게이트전극을 형성하는 단계와, 라) 질화막 및 사이드월을 제거하여 게이트전극 주변에 홈을 형성하는 단계와, 마) 제1홀 하부에 n-영역을 형성하고 상기 홈에 절연막을 증착 및 에치백하여 게이트 사이드월을 형성하고, 사이드월 주변에 n+영역을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1홀은 게이트 영역보다 LDD길이의 2배만큼 큰 사이즈로 형성하는 것이 특징인 트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 나)단계의 이온층은 기판의 도핑형과 동일한 것이 특징인 트랜지스터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 게이트는 소오스 및 드레인영역의 졍션깊이만큼 기판 내에 리세스 한 것이 특징인 트랜지스터 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 나)단계의 사이드월은 CVD 산화막으로 형성하는 것이 특징인 트랜지스터 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 마)단계의 게이트월은 CVD 산화막으로 형성하는 것이 특징인 트랜지스터 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 다)단계의 식각방법은 습식식각인 것이 특징인 트랜지스터 제조방법.
  8. 반도체장치의 트랜지스터에 있어서, 트랜지스터를 형성할 반도체기판과, 반도체기판 내에 리세스되어 기판과 단차가 없도록 형성한 게이트와, 반도체기판 내에 게이트 주변에 절연물질로 형성한 게이트 사이드월과, 게이트 사이드월 하부에 게이트전극과 동일한 깊이를 갖도록 이온주입하여 형성한 n-영역과, 게이트 사이드월 주변에 게이트와 동일한 깊이를 갖도록 이온주입하여 형성한 n+영역을 포함하여 이루어진 트랜지스터.
  9. 제8항에 있어서, 상기 게이트전극은 폴리실리콘으로 형성한 것이 특징인 트랜지스터.
  10. 제8항에 있어서, 상기 게이트 사이드월을 형성한 절연물질은 CVD 산화막인 것이 특징인 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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