KR960035926A - 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960035926A KR960035926A KR1019950006362A KR19950006362A KR960035926A KR 960035926 A KR960035926 A KR 960035926A KR 1019950006362 A KR1019950006362 A KR 1019950006362A KR 19950006362 A KR19950006362 A KR 19950006362A KR 960035926 A KR960035926 A KR 960035926A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- low
- film transistor
- photoresist
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
고집적 반도체 소자 제조 방법
2. 발명이 해결하려는 기술적 과제
저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조시, 얇은 폴리시리콘막에 측벽 산화막 스페이서를 형성해야 하므로 공정이 복잡하고 따라서 공정진행 여유도가 떨어진다는 문제점을 해결하고자 함.
3.발명의 해결방법의 요지
게이트 전극을 형성한 다음, 먼저 소스/드레인 영역 형성을 위한 마스크 패턴을 형성하고 소스/드레인 이온주입을 실시하고, 그 위에 증착시킨 산화막을 뚫고 저도핑 드레인 영역 형성을 위한 이온 주입을 실시함으로써, 측벽 산화막 스페이서 형성 공정 없이 간단한 공정으로 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터를 제조하고자 함.
4.발명의 중요한 용도
저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 저도핑 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법에 따른 공정도.
Claims (1)
- 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜스터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 웨이퍼 기판에 하부층 및 절연막이 형성된 구조상에, 소스/드레인용 폴리실리콘, 게이트 산화막, 게이트용 폴리실리콘을 차례로 증착하고 도핑을 실시하는 단계와, 포토레지스트를 전면에 도포하고 게이트 전극 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 삭각 배리어로 이용하여 상기 게이트용 폴리실리콘을 삭각하여 게이트 전극을 형성하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고, 게이트 영역과 저도핑 드레인 영역이 형성될 부분에는 포토레지스트가 잔류하고 소스/드레인 영역은 오픈되도록 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 소스/드레인 이온 주입을 실시하는 단계 및, 잔류 포토레지스트를 제거하고 전체 구조상부에 산화막을 증착한 후, 저도핑 드레인 영역 형성을 위한 이온 주입을 실시하고, 어닐링 공정을 수행하는 단계를 포함해서 이루어진 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006362A KR960035926A (ko) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006362A KR960035926A (ko) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035926A true KR960035926A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66553114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006362A KR960035926A (ko) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035926A (ko) |
-
1995
- 1995-03-24 KR KR1019950006362A patent/KR960035926A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960035926A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960035905A (ko) | 드레인 오프셋 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960043290A (ko) | 이중 게이트 전극 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970054501A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970054257A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970003682A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960035906A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR940012653A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960035902A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970013120A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970013121A (ko) | 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960036145A (ko) | 고집적 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR960026959A (ko) | 저도핑 드레인(ldd) 구조의 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970003964A (ko) | 모스 (mos) 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR970053077A (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR960026480A (ko) | 고집적 모스(mos) 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960036098A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960026972A (ko) | 저도핑 드레인(ldd) 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR970004095A (ko) | 고집적 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960036021A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR950034828A (ko) | 구리전극을 적용하는 모스 트랜지스터의 제조방법 및 게이트 구조 | |
| KR960043294A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970023885A (ko) | 모스 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR960005895A (ko) | 모스트랜지스터 제조방법 | |
| KR970024308A (ko) | 저도핑 드레인 구조의 박막 트랜지스터 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |