KR960026959A - 저도핑 드레인(ldd) 구조의 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

저도핑 드레인(ldd) 구조의 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
MOSFET 제조시, 게이트 전극과 확산 영역을 연결하는 국부 연결 도전체가 극성이 다른 확산 영역으로부터 카운터 도핑괴어 접촉 저항이 오히려 커지는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
티타늄―실리콘―티타늄의 적층 구조에 티타늄 실리사이드를 형성시켜 국부 연결 도전체를 형성함.
4. 발명의 중요한 용도
SRAM의 MOSFET 소자의 제조에 이용 됨.

Description

저도핑 드레인 (LDD) 구조의 모스 트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법에 따른 공정도.

Claims (5)

  1. 저도핑 드레인(LDD) 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 반도체 기판상에 저도핑 드레인 영역을 포함하는 소스/드레인 영역, 게이트 전극, 측벽 스페이서가 형성된 전체 구조 상부에, 제1금속층, 실리콘층, 제2금속층을 각각 소정의 두께로 차례로 증착하는 단계와, 포토레지스트를 전면 도포한 다음, 게이트 전극과 소오스/드레인 영역과의 국부 연결을 위한 소정의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 제1금속층, 상기 실리콘층, 상기 제2금속층의 노출 부위를 차례로 식각 하는 단계 및, 잔류 포토레지스트를 제거한 후, 열처리 공정을 실시하여, 상기 금속과 실리콘이 접해있는 접경 부분에 금속 실리사이드를 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,상기 제1금속층 및 제2금속층은 티타늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1금속층, 실리콘층, 상기 제2금속층의 두께는 각각 약 500A 인 것을 특징으로 하는 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법.
  4. 게이트 전극과 불순물 이온 확산 영역을 포함하는 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터에 있어서, 상기 게이트 전극과 상기 확산 영역을 연결하기 위한 도전체로서, 제1금속-금속 실리사이드-실리콘-금속 실리사이드-제2금속으로 이루어진 적층 구조의 국부 연결 도전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1금속 및 제2금속은 티타늄인 것을 특징으로 하는 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940040767A 1994-12-30 1994-12-30 저도핑드레인구조의모스트랜지스터및그제조방법 KR100299373B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980060638A (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 김영환 반도체 소자의 제조 방법

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KR19980060638A (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 김영환 반도체 소자의 제조 방법

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