KR960026929A - 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 얕은 접합(shallow junction)의 소스/드레인을 갖는 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판(1)에 게이트산화막(2), 게이트전극(3)을 형성하는 단계와; 상기 반도체기판과 반대되는 형의 불순물이 도핑된 절연막(4)을 형성하고, 열처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명의 일실시예에 트랜지스터 제조 공정 단면도.
Claims (7)
- 트랜지스터 제조방법에 있어서, 반도체기판에 게이트산화막, 게이트전극을 형성하는 단계와; 상기 반도체기판과 반대되는 형의 불순물이 도핑된 절연막을 형성하고, 열처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 얕은 소스/드레인의 접합을 갖는 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 PSG막인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 절연막은 3000Å 내지 7000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제3항에 있어서,상기 열터리 단계는 RTA 방법으로 900℃ 내지 1100℃의 온도하에서 5 내지 10초간 이루어지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 단계후 상기 절연막을 소정정도 식각한 다음 불순물을 고농도로 주입하는 단계를 더 포함함으로써 저도핑드레인 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 절염막은 블랭킷으로 식각되되, 800Å내지 1200Å 잔류되는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 BSG막인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034738A KR960026929A (ko) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940034738A KR960026929A (ko) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026929A true KR960026929A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940034738A KR960026929A (ko) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026929A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030049590A (ko) * | 2001-12-15 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 형성 방법 |
-
1994
- 1994-12-16 KR KR1019940034738A patent/KR960026929A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030049590A (ko) * | 2001-12-15 | 2003-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트랜지스터 형성 방법 |
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