KR970003447A - 모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 어닐링 방법 - Google Patents
모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 어닐링 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래에는 소스/드레인 영역의 형성 수행시 질소 분위기의 어닐링 또는 급속 열공정 중의 한가지 공정만 실시하여 확산 영역의 안정성에 문제가 발생하게 되고, 이로 인한 모스 트랜지스터 고유의 래치 업(Latch - up) 또는 단채널 효과가 발생하여 소자의 특성을 열화 시킨다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
두 단계의 열처리 공정을 이용하여 모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역을 형성하므로써 안정된 모스 트랜지스터를 제조할 수 있는 모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 어닐링 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
초고집적 반도체 소자, 특히 MOS 트랜지스터 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 반도체 기판 상에 소자 분리막, 게이트 산화막, 게이트 전극, 저도핑 드레인 영역, 측벽 스페이서, 소스/드레인 영역을 형성하기 위한 이온 주입이 실시된 모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 어닐링 방법에 있어서, 질소 분위기의 반응로에서 약 450℃ 내지 650℃의 온도로 약 30분 내지 120분 동안 1차 어닐링을 실시하여 주입된 이온을 안착시키는 단계 및, 급속 열공정을 이용하여 질소 분위기에서 약 1,000℃ 내지 1,200℃의 온도로 약 10초 내지 120초 동안 2차 어닐링을 실시하여 소스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 어닐링 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019146A KR970003447A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 어닐링 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019146A KR970003447A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 어닐링 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003447A true KR970003447A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019146A KR970003447A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 모스 트랜지스터의 소스/드레인 영역의 어닐링 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003447A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100351444B1 (ko) * | 1999-12-03 | 2002-09-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스트랜지스터의 소오스/드레인 형성방법 |
| KR20040001875A (ko) * | 2002-06-29 | 2004-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 채널특성을 개선시킨 반도체소자의 제조 방법 |
| KR101107656B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2012-01-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019146A patent/KR970003447A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100351444B1 (ko) * | 1999-12-03 | 2002-09-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스트랜지스터의 소오스/드레인 형성방법 |
| KR20040001875A (ko) * | 2002-06-29 | 2004-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 채널특성을 개선시킨 반도체소자의 제조 방법 |
| KR101107656B1 (ko) * | 2003-12-10 | 2012-01-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
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