KR970013426A - 박막트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스 제조방법에 관한 것으로, 동작 전류의 온도 의존성을 줄이고 대기 전류를 감소시키기 위한 것이다. 본 발명은 반도체기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막상부에 게이트전극을 형성하는 공정, 기판 전면에 게이트절연막과 비정질실리콘층을 차례로 형성하는 공정, 열처리를 공정에 의해 상기 비정질실리콘층을 결정화시켜 폴리실리콘층을 형성하는 공정, 상기 게이트전극 일측단의 상기 폴리실리콘층 소정부위에 산소 이온을 선택적으로 주입하여 오프셋영역을 형성하는 공정, 상기 게이트전극 양단의 상기 폴리실리콘층 부위에 불순물을 이온주입하여 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정 및 열처리를 행하여 상기 소오스 및 드레인영역을 활성화시켜 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 박막트랜지스터 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 박막트랜지스터 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (5)
- 반도체기판상에 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막상부에 게이트전극을 형성하는 공정, 기판 전면에 게이트절연막과 비정질실리콘층을 차례로 형성하는 공정, 열처리를 공정에 의해 상기 비정질실리콘층을 결정화시켜 폴리실리콘층을 형성하는 공정, 상기 게이트전극 일측단의 상기 폴리실리콘층 소정부위에 산소 이온을 선택적으로 주입하여 오프셋영역을 형성하는 공정, 상기 게이트전극 양단의 상기 폴리실리콘층 부위에 불순물을 이온주입하여 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정 및 열처리를 행하여 상기 소오스 및 드레인영역을 활성화시켜 소오스 및 드레인전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질실리콘층은 SiH4가스를 이용하여 500-550℃의 온도에서 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비정질실리콘층의 결정화를 위한 열처리공정은 N2분위기에서 550-650℃의 온도로 10-13시간 동안 행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소 이온주입시 산소이온 주입량은 산소이온이 주입되었을때의 폴리실리콘층속의 산소 농도가 1×1020㎝-3내외가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인영역의 활성화를 위한 열처리공정은 900-1000℃의 온도에서 8-12분 정도 행하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR0156155B1 (ko) | 1998-10-15 |
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