KR970053015A - 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 Download PDF

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KR970053015A
KR970053015A KR1019950047334A KR19950047334A KR970053015A KR 970053015 A KR970053015 A KR 970053015A KR 1019950047334 A KR1019950047334 A KR 1019950047334A KR 19950047334 A KR19950047334 A KR 19950047334A KR 970053015 A KR970053015 A KR 970053015A
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김천수
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김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법이 개시된다.
본 발명은 실리콘 에피텍셜층을 형성하여 이 부분을 트랜지스터의 채널영역이 되게하므로 실리콘 기판보다 낮은 불순물 농도로 인하여 트랜스콘덕턴스(transconductance)와 모빌리터(mobility)가 양호하여 쇼트 채널 효과를 억제할 수 있고, 문턱전압을 안정화시킬 수 있어, 소자의 신뢰성 향상과 고집적화를 실현할 수 있게한다.

Description

반도체 소자의 트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1C도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 있어서, 실리콘 기판에 필드 산화막을 형성하여 액티브 영역을 확정한 후, 채널이온주입공정을 실시하는 단계; 상기 채널이온주입공정후 열처리공정을 실시한 후, 상기 실리콘 기판의 표면 산화막을 제거하는 단계; 프리-히팅한 후, 상기 액티브 영역의 상기 실리콘 기판상에 실리콘 액피텍셜층을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 에피텍셜층상에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극의 측벽에 도프트 산화막 스페이서를 형성한 후, 소오스 및 드레인 불순물 이온주입공정과 열처리 공정으로 LDD구조의 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 채널이온 BF2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 표면 산화막은 버퍼드 HF 용액을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 프리-히팅은 초고진공 화학기상증착(UHV-CVD)챔버에서 650 내지 750℃온도 범위에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 인트린직 실리콘 에피텍셜층은 Si2H6가스를 반응가스로 하여 200 내지 350Å의 두께로 성장시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 도프트 산화막 스페이서는 PSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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