KR970053015A - 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법이 개시된다.
본 발명은 실리콘 에피텍셜층을 형성하여 이 부분을 트랜지스터의 채널영역이 되게하므로 실리콘 기판보다 낮은 불순물 농도로 인하여 트랜스콘덕턴스(transconductance)와 모빌리터(mobility)가 양호하여 쇼트 채널 효과를 억제할 수 있고, 문턱전압을 안정화시킬 수 있어, 소자의 신뢰성 향상과 고집적화를 실현할 수 있게한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1C도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (6)
- 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 있어서, 실리콘 기판에 필드 산화막을 형성하여 액티브 영역을 확정한 후, 채널이온주입공정을 실시하는 단계; 상기 채널이온주입공정후 열처리공정을 실시한 후, 상기 실리콘 기판의 표면 산화막을 제거하는 단계; 프리-히팅한 후, 상기 액티브 영역의 상기 실리콘 기판상에 실리콘 액피텍셜층을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 에피텍셜층상에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극의 측벽에 도프트 산화막 스페이서를 형성한 후, 소오스 및 드레인 불순물 이온주입공정과 열처리 공정으로 LDD구조의 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 채널이온 BF2인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 표면 산화막은 버퍼드 HF 용액을 사용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 프리-히팅은 초고진공 화학기상증착(UHV-CVD)챔버에서 650 내지 750℃온도 범위에서 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 인트린직 실리콘 에피텍셜층은 Si2H6가스를 반응가스로 하여 200 내지 350Å의 두께로 성장시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도프트 산화막 스페이서는 PSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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KR1019950047334A KR970053015A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
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KR1019950047334A KR970053015A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
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KR970053015A true KR970053015A (ko) | 1997-07-29 |
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ID=66593796
Family Applications (1)
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KR1019950047334A KR970053015A (ko) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970053015A (ko) |
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1995
- 1995-12-07 KR KR1019950047334A patent/KR970053015A/ko not_active Application Discontinuation
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