KR960026968A - 이중게이트를 구비한 박막트랜지스터 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고화질의 액티브 매트릭스 액정표시장치에 유용한 다결정 실리콘에 관한 것으로서, 특히 이중게이트를 구비한 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 이중 게이트 구조나 이중채널, 이중 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터의 게이트 전그과 게이트전극 사이에 있는 활성층의 저항값 즉 N∼채널 박막 트랜지스터의 경우는 n+저항을, P-채널 박막 트랜지스터의 경우는 P+저항값을 각각 n-, p- 저항값으로 조절하여 게이트 전그과 개아트 전극사이의 저항길이를 눌이므로써 소자가 차지하는 면적을 줄임과 동시에 누설전류를 감소 시킬수 있다.

Description

이중게이트를 구비한 박막트랜지스터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 이중게이트 박막 트랜지스터의 단면도, 제2도는 제1도의 평면도.

Claims (11)

  1. 이중게이트(Double Gate) 및 이들의 하부에 게이트산화막을 개재하여 오버랩되는 활성층 영역에 각각 형성된 이중채널을 구비한 다결정실리콘 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 이중게이트 사이의 활성층의 저항값을 조절하여 누설전류를 감소시키기 위하여 상기 이중게이트의 하나의 게이트와 다른 하나의 게이트 사이의 활성층에 소정 도전형의 저농도 도핑영역을 구비한 것을 특징으로 하는 이중게이트 박막트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정도전형의 저농도 도핑영역은 N-채널 트랜지스터인 경우 AS 이나 P이온이, P-채널인 경우 B나 BF2이온이 약 1×1012㎝-2∼1×10|14㎝-2범위의 불순물 농도로 주입된것을 특징으로 하는 이중게이트 박막트랜지스터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 활성층이 다결정 Si1-XGeX의 단층박막으로 구성된 것을 특징으로 하는 이중게이트 박막트랜지스터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 활성층이 다결정 Si1-XGeX의 단층박막으로 구성된 것을 특징으로 하는 이중게이트 박막트랜지스터.
  5. 제1항에 있어서, 상기 활성층이 다결정실리콘/다결정 Si1-XGeX/다결정실리콘으로 이루어진 3층박막으로 구성된 것을 특징으로 하는 이중게이트 박막트랜지스터.
  6. 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, a) 투명성 절연기판 상에 비정질 실리콘 박막을 저압화학기상증착법(LPCVD)으로 증착한후 결정화를 위한 열처리 공정을 수행하여 다결정 실리콘박막을 형성하는 공정; b) 상기 다결정 실리콘 박막을 패터닝하여 트랜지스터의 활성영역을 정의하는 공정; c) 상기 활성영역이 정의된 기판의 전면에 게이트 산화막을 형성하는 공정; d) 상기 게이트 산화막의 소정부위에 이중(double)게이트를 형성하는 공정; e) 상기 이중게이트를 마스크로 사용하여 저농도 불순물을 이온주입하여 이중게이트 사이의활성영역에 누설전류를 감소시키기 위한 저농도 도핑영역을 형성하는 공정; f) 상기 이중게이트 사이에 감광막 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스크로 이용한 이온주입공정을 통하여 상기활성영역에 고농도의 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정; g) 금속전극을 형성하기 위한 배선공정으로 이루어진 이중게이트 박막트랜지스터의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 (a)공정의 다결정실리콘 박막이 비정질실리콘 박막, 비정질 Si1-XGeX박막 및 비정질실리콘박막을 순차적으로 증착한 후 결정화한 3층박막으로 이루어진 이중게이트 박막트랜지스터의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 (a)공정의 다결정실리콘 박막이 비정질실리콘 박막 및 비정질 Si1-XGeX박막을 연속 증착하여 결정화한 2층 박막으로 이루어진 이중게이트 박막트랜지스터의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 (a)공정의 결정화를 위한 열처리공정은 600。C 이하의 산소분위기의 고압 열전기로에서 수행되는 이중게이트 박막트랜지스터의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 (a)공정의 결정화를 위한 열처리공정은 금속 열처리방법(RTA)으로 결정핵을 생성한후 600。C 이하의 산소분위기의 고압 열전기로에서 수행되는 이중게이트 박막트랜지스터의 제조방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 (e)공정의 저농도 도핑영역 형성을 위한 이온주입 공정은 N∼채널 트랜지스터인경우 AS 이나 P이온이, P-채널인 경우 B나 BF2이온이 약 1×1012㎝-2∼1×1014㎝-2범위의 불순물 농도로 수행되는 이중게이트 박막트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100532082B1 (ko) * 2001-12-28 2005-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 박막트랜지스터 및 그 제조방법
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