KR970053075A - 모스트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 모스트랜지스터에 관한 것으로서, 특히 기판과 고농도 소오스/드레인 영역과의 접합 커패시턴스를 감소시켜 고속동작을 가능하게 한 모스트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 모스트랜지스터의 제조방법은 제1도전형의 기판상에 게이트와 게이트 절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 게이트를 마스크로 기판전면에 제2 도전형의 저농도 불순물 이온을 주입하여 제2도전형의 제1 저농도 소오스 드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 측면에 측벽 절연막을 형성하는 공정과, 상기 측벽 절연막과 게이트를 마스크로 기판전면에 제2도전형 고농도 불순물 이온을 주입하여 제2 도전형 고농도 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 기판전면에 저온 열처리를 하여 제2 도전형의 고농도 소오스/드레인 영역 아래에 제2도전형의 제2저농도 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정임을 특징으로 한다.

Description

모스트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 모스트랜지스터의 제조공정도.

Claims (4)

  1. 제1도전형이 기판상에 게이트와 게이트 절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 게이트를 마스크로 기판전면에 제2도전형의 저농도 불순물 이온을 주입하여 제2도전형의 제1저농도 소오스 드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트 측면에 측벽 절연막을 형성하는 공정과, 상기 측벽 절연막과 게이트를 마스크로 기판전면에 제2도전형 고농도 불순물 이온을 주입하여 제2도전형 고농도 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 기판전면에 저온 열처리를 하여 제2도전형의 고농도 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정임을 특징으로 하는 모스트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 소오스/드레인 영역을 형성하는 불순물 이온은 B 또는 BF2이온임을 특징으로 하는 모스트랜지스터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 제2 저농도 소오스/드레인 영역은 고농도 소오스/드레인 영역을 형성하는 이온과 동일한 이온임을 특징으로 하는 모스트랜지스터의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, 제2 저농도 소오스/드레인 영역은 고농도 소오스/드레인 영역 형성을 위한 이온 주입 후 700℃에서 30분간 열처리 하여 형성함을 특징으로 하는 모스트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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