KR960035917A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서, 특히 숏채널효과(Short Channel Effect)의 발생을 줄이고 할로구조의 단점을 향상시키는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 제 1도전형 반도체 기판상에 게이트전극을 형성하고, 상기 게이트전극 양측의 기판에 저농도 제 2도전형 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 양측과 일정간격을 가진 상기 저농도 제 2도전형 소오스 및 드레인영역 상측에 마스크를 형성하고, 제 1도 전형 불순물 이온을 주사이온주입하여 상기 저농도 제 2도전형 소오스 및 드레인영역의 채널쪽 접합부위에 제 1도전형 불순물영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 측면에 측벽을 형성하고 고농도 제 2도전형 이온주입하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 반도체 소자의 공정 단면도

Claims (1)

  1. 제 1도전형 반도체 기판상에 게이트전극을 형성하고, 상기 게이트전극 양측의 기판에 저농도 제 2도전령 소오스 및 드레인영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 양측과 일정간격을 가진 상기 저농도제 2도전형 소오스 및 드레인영역 상측에 마스크를 형성하고, 제 1도전형 불순물 이온을 주사이온주입하여상기 저농도 제 2도전형 소오스 및 드레인영역의 채널쪽 접합부위에 제 1도전형 불순물 영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 측면에 측벽을 형성하고 고농도 제2도전형 이온주입하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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