KR970054250A - 마스크 롬의 제조방법 - Google Patents

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KR970054250A
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박재수
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation

Abstract

본 발명은 마스크 롬(mask ROM) 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 게이트 산화막의 질을 확보하고, 모빌리티 특성이 우수한 마스크 롬을 형성할 수 있는 마스크 롬 제조방법에 관한 것으로, 마스크 롬의 컴펜세이션 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 반대 타입의 이온 주입 공정시 마스크 패턴을 형성한 다음 이온 주입 공정을 실시하므로써, 게이트 산화막의 질을 확보하고, 채널 전체를 P 타입화 하지 않고, 소오스, 드레인 영역의 소정 부분에만 P 타입화 하여 소자의 모빌리티 특성을 확보하므로써, 마스크 롬의 질을 향상시킬 수 있는 마스크 롬 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

Description

마스크 롬의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 내지 (다)는 본 발명의 마스크 롬 제조방법 중 컴펜세이션 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (2)

  1. 소자 분리 영역이 구비된 전도성을 띤 반도체 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 산화막 상부에 워드라인을 형성하는 단계; 상기 노출된 기판 영역에 LDD 불순물을 이온 주입하는 단계; 상기 결과물 상부에 산화막을 형성하고, 이를 블랭킷 식각하여 워드 라인 측벽 스페이서를 형성하는 단계; 상기 노출된 기판에 기판 타입과 반대 타입의 고농도 불순물을 이온 주입하는 단계; 상기 결과물의 워드 라인 상부와 고농도 불순물이 이온 주입된 영역 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴에 의하여 노출된 부분에 기판과 같은 타입의 불순물을 이온 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크 패턴으로 노출된 기판부에 LDD 불순물을 이온 주입하는 단계에서, 상기 이온 주입시 틸트를 주어 주입하는 것을 특징으로 하는 마스크 롬 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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