KR970077357A - 모스(mos) 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
모스(mos) 트랜지스터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
LDD 구조의 모스 트랜지스터의 제조방법에 대해 기재되어 있다. 반도체기판 상에 게이트절연막, 게이트전극용 도전층 및 포토레지스트 패턴을 차례로 형성하는 단계, 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 게이트전극용 도전층 및 게이트절연막을 차례로 식각하여 게이트전극 패턴을 형성하는 단계, 게이트전극 패턴의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계, 스페이서 및 게이트전극 패턴을 마스크로 사용하여 반도체기판에 불순물이온을 주입하여 저농도의 소오스/드레인을 형성하는 단계, 게이트전극 패턴의 상부 및 스페이서가 형성되지 않은 반도체기판 상에 에피층을 형성하는 단계, 스페이서를 제거하는 단계 및 스페이서가 제거된 반도체기판에 불순물이온을 주입하고 고농도의 소오스/드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 드레인에 높은 전계가 인가되어 게이트 절연막을 통한 밴드 사이의 터널링(tunneling)이 발생하는 문제점을 해소할 수 있으며, 게이트전극 패터닝에 사용된 포토레지스트 패턴을 이용하여 스페이서를 형성할 경우, 스페이서 형성공정을 단순화할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2e도는 본 발명에 따른 LDD 구조를 갖는 모스 트랜지스터의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체기판 상에 게이트절연막, 게이트전극용 도전층 및 포토레지스트 패턴을 차례로 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 게이트전극용 도전층 및 게이트절연막을 차례로 식각하여 게이트전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 패턴의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 스페이서 및 게이트전극 패턴을 마스크로 사용하여 상기 반도체기판에 불순물이온을 주입하여 저농도의 소오스/드레인을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 패턴의 상부 및 스페이서가 형성되지 않은 반도체기판 상에 에피층을 형성하는 단계; 상기 스페이서를 제거하는 단계; 및 상기 스페이서가 제거된 반도체기판에 불순물이온을 주입하여 고농도의 소오스/드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 스페이서는 게이트전극용 도전층 및 게이트절연막 패턴이시 사용된 패턴포토레지스트 패턴을 플로우시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018226A KR970077357A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 모스(mos) 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960018226A KR970077357A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 모스(mos) 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077357A true KR970077357A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66283993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960018226A KR970077357A (ko) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | 모스(mos) 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077357A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100506878B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
-
1996
- 1996-05-28 KR KR1019960018226A patent/KR970077357A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100506878B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스 전계효과 트랜지스터의 제조방법 |
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |