KR960035918A - 반도체 소자의 얕은 접합 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 얕은 접합 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 저농도 불순물 이온주입영역 및 고농도 불순물 이온주입영역으로 이루어지는 LDD구조의 접합 형성방법에 있어서; 상기 고농도 불순물 이온주입영역을 형성한 후 저농도 불순물 이온주입영역 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 얕은 집합 형성방법에 관한 것으로, 저농도 불순물 이온이 실리콘 기판 깊이 확산되는 것을 상대적으로 큰 고농도 불순물 이온이 방지하여 얕은 접합을 형성할 수 있으므로, 소자의 전기적 특징을 개선하는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 일실시예에 따른 접합 형성 공정도
Claims (2)
- 저농도 불순물 이온주입영역 및 고농도 불순물 이온주입영역으로 이루어지는 LDD구조의 접합 형성방법에 있어서; 상기 고농도 불순물 이온주입영역을 형성한 후 저농도 불순물 이온주입영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 얕은 접합 형성방법.
- 반도체 기판상에 게이트 전극을 패터닝하는 단계; 상기 게이트 전극 측벽에 스페이서 절연막을 형성하는 단계; 반도체 기판 상에 고농도 불순물 이온주입영역을 형성하는 단계; 상기 스페이서 절연막을 제거하는 단계; 반도체 기판 상에 저농도 불순물 이온주입영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 얕은 접합 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006711A KR960035918A (ko) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 반도체 소자의 얕은 접합 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006711A KR960035918A (ko) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 반도체 소자의 얕은 접합 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960035918A true KR960035918A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66553099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006711A KR960035918A (ko) | 1995-03-28 | 1995-03-28 | 반도체 소자의 얕은 접합 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960035918A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100749373B1 (ko) * | 1999-05-03 | 2007-08-14 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 샬로우 접합부 반도체 디바이스의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-03-28 KR KR1019950006711A patent/KR960035918A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100749373B1 (ko) * | 1999-05-03 | 2007-08-14 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 샬로우 접합부 반도체 디바이스의 제조 방법 |
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