KR960036143A - 박막트랜지스터의 구조 및 제조방법 - Google Patents

박막트랜지스터의 구조 및 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 구조 및 제조방법에 관한 것으로, 특히 박막 트랜지스터의 소오스와 드레인형성을 위한 불순물 이온 마스크의 미스어라인을 방지하는데 적당하도록 한 박막트랜지스터의 구조 및 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 박막트랜지스터의 구조는 기판위에 형성된 게이트전극, 상기 게이트전극 상측과 상기 게이트전극 타측이 상기 기판위에 형성된 제1반도체층, 상기 게이트전극 상측의 일부영역에 접촉창을 가지고, 상기 제1반도체층 위에 형성된 제1절연막, 상기 접속창과 상기 제1절연막위에 형성된 제2반도체층, 상기 게이트전극 타측의 제1반도체층에 형성된 소오스영역, 상기 제2반도체층에 형성된 드레인영역. 상기 게이트전극 상측의 제1반도체에 형성된 채널영역, 상기 채널영역과 상기 드레인영역의 수직거리에 형성된 옵셋영역을 포함하여 구성되어지고, 본 발명의 박막트랜지스터 제조방법은 기판위에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 기판과 상기 게이트전극위에 제1절연층과 제1반도체층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 타측에 제1반도체층 소오스영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 상측영역에 접촉창을 가진 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막과 상기 접촉창위에 제2반도체를 형성하고, 상기 제2도전층에 불순물 이온을 주입하는 공정과, 상기 게이트전극의 일측의 상기 제2반도체층, 제2절연막, 그리고 제1반도체층을 식각하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

박막트랜지스터의 구조 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 박막트랜지스터 공정단면도.

Claims (2)

  1. 기판위에 형성된 게이트전극, 상기 게이트전극 상측과, 상기 게이트전극 타측이 상기 기판위에 형성된 제 1반도체층, 상기 게이트전극 상측의 일부영역이 접촉창을 가지고, 상기 제 1반도체층위에 형성된 제 1절연막, 상기 접촉창과 상기 제 1절연막위에 형성된 제 2반도체층, 상기 게이트전극 타측의 제 1반도체층에 형성된 소오스영역, 상기 제 2반도체층에 형성된 드레인영역, 상기 게이트전극 상측의 제 1반도체에 형성된 채널영역, 상기 채널영역과 상기 드레인영역의 수직거리에 형성된 옵셋영역을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 구조.
  2. 기판위에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 기판과 상기 게이트전극위에 제 1절연층과 제 1반도체층을 차례로 형성하는 공정과, 상기 게이트전극의 타측의 제 1반도체층, 소오스영역을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 상측영역에 접촉창을 가진 제 2절연막을 형성하는 공정, 상기 제 2절연막과 상기 접촉창위에 제 2반도체층을 형성하고, 상기 제 2도전층에 불순물이온을 주입하는 공정, 상기 게이트전극의 일측의 상기 제 2반도체층, 제 2절연막 그리고 제 1반도체층을 식각하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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