KR970054497A - 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
박막 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970054497A KR970054497A KR1019950050917A KR19950050917A KR970054497A KR 970054497 A KR970054497 A KR 970054497A KR 1019950050917 A KR1019950050917 A KR 1019950050917A KR 19950050917 A KR19950050917 A KR 19950050917A KR 970054497 A KR970054497 A KR 970054497A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- film
- polysilicon film
- predetermined size
- pattern
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 질화막(1)을 일정크기로 형성하는 단계; 상기 질화막 패턴(1)의 측벽에 소정크기를 갖는 폴리실리콘막 스페이서(2)를 형성하는 단계; 상기 질화막 패턴(1) 및 폴리실리콘막 스페이스(2) 상에 소정의 크기를 갖는 채널 폴리실리콘막(3)을 형성하는 단계; 상기 질화막 패턴(1) 및 폴리실리콘막 스페이서(2)상에 소정의 크기를 갖는 채널 폴리실리콘막(3)을 형성하는 단계; 상기 질화막 패턴(3)을 형성하는 단계; 상기 질화막 패턴(1)을 습식식각하여 제거하는 단계; 상기 폴리실리콘막 스페이서(2) 및 채널 폴리실리콘막(3) 상에 게이트 산화막(4)을 도포하는 단계; 상기 게이트 산화막(4) 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 채널 폴리실리콘막(3)에 이온을 주입하여 소오스/드레인(7)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 오프셋(off-set)영역의 폴리실리콘막이 두껍게 형성되어 저농도 이온 주입되는 채널 형성공정을 제거할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조 공정 단면도.
Claims (3)
- 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 소정의 크기를 전도막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 전도막 패턴이 상기 박막 트랜지스터의 채널 오프셋 영역에 위치하여 상기 오프셋(off-set) 영역이 소오스/드레인 영역보다 두껍게 형성되도록 채널 형성용 전도막을 도포하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전도막 패턴은, 절연막 패턴을 일정크기로 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴의 측벽에 소정크기를 폴리실리콘막 스페이서를 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.
- 박막 트랜지스터 제조방법에 있어서, 절연막 패턴을 일정크기로 형성하는 단계, 상기 절연막 패턴의 측벽에 소정크기를 갖는 폴리실리콘막 스페이서를 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴 및 폴리실리콘막 스페이서상에 소정의 크기를 갖는 채널 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 절연막 패턴을 습식식각하여 제거하는 단계; 상기 폴리실리콘막 스페이서 및 채널 폴리실리콘막 상에 게이트 산화막을 도포하는 단계; 상기 게이트산화막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 채널 폴리실리콘막에 이온을 주입하여 소오스/드레인 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050917A KR970054497A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050917A KR970054497A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054497A true KR970054497A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66595108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050917A KR970054497A (ko) | 1995-12-16 | 1995-12-16 | 박막 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054497A (ko) |
-
1995
- 1995-12-16 KR KR1019950050917A patent/KR970054497A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940027104A (ko) | 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960012564A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 | |
| KR960024604A (ko) | 이중 채널 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR960005896A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR970013411A (ko) | 일방향, 경사형 채널 반도체 디바이스 형성 방법 | |
| KR950021786A (ko) | 모스펫(mosfet) 및 그 제조방법 | |
| KR970054497A (ko) | 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970054438A (ko) | 경사진 게이트 산화막을 갖는 전력용 모스 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR970023894A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960026973A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR960036143A (ko) | 박막트랜지스터의 구조 및 제조방법 | |
| KR970030917A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR960043290A (ko) | 이중 게이트 전극 구조의 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR950009978A (ko) | 모스트랜지스터의 제조방법 | |
| KR940016888A (ko) | 트랜지스터 형성 방법 | |
| KR910019204A (ko) | 슬롭형 게이트를 이용한 ldd제조방법 | |
| KR930003434A (ko) | Ldd 구조의 모스 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960005895A (ko) | 모스트랜지스터 제조방법 | |
| KR910017635A (ko) | 메모리 셀 커패시터 제조방법 | |
| KR960035916A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970054513A (ko) | 박막트랜지스터 제조 방법 | |
| KR920020753A (ko) | 모스 소자의 구조 및 제조방법 | |
| KR940010387A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970054258A (ko) | 박막트랜지스터 제조방법 | |
| KR980005881A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |